特許

J-GLOBAL ID：200903098903621457

高分子化合物及びポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法

発明者： 畠山 潤 ,  原田 裕次 ,  河合 義夫
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-215914
公開番号（公開出願番号）：特開2005-133067
出願日： 2004年07月23日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：

【課題】高エネルギー線での露光において、高感度で高解像性を有し、また、現像時の膨潤が抑えられるためラインエッジラフネスが小さく、現像後の残渣が少ないポジ型レジスト材料を提供する。【解決手段】 少なくとも、下記一般式(1a)で示される繰り返し単位と、下記一般式(1b)で示される繰り返し単位及び/又は下記一般式(1c)で示される繰り返し単位とを有する高分子化合物、およびこれをベース樹脂として配合したポジ型レジスト材料。 【化46】【選択図】なし

請求項（抜粋）：

少なくとも、下記一般式(1a)で示される繰り返し単位と、下記一般式(1b)で示される繰り返し単位及び/又は下記一般式(1c)で示される繰り返し単位とを有する高分子化合物。

IPC (4件)：

C08F220/18 ,  G03F7/033 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

FI (4件)：

C08F220/18 ,  G03F7/033 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R

Fターム (34件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC03 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA11Q ,  4J100BC07P ,  4J100BC08R ,  4J100BC12P ,  4J100BC15P ,  4J100BC52Q ,  4J100BC58Q ,  4J100CA05 ,  4J100DA39 ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (9件)

• 特公平2-27660号公報
  
• 特開昭63-27829号公報
  
• レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-050264   出願人：富士通株式会社
• デバイス製造のためのパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-049956   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• レジスト組成物およびその利用
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-063775   出願人：日本ゼオン株式会社
• 国際公開第97/33198号パンフレット
  
• レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-312722   出願人：富士通株式会社
• ラクトン構造を有する(メタ)アクリレート誘導体、重合体、フォトレジスト組成物、及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-188853   出願人：日本電気株式会社
• 新規なラクトン含有化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパタ-ン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-255167   出願人：信越化学工業株式会社

審査官引用 (1件)

• ポジ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-339439   出願人：富士写真フイルム株式会社