特許
J-GLOBAL ID：200903098917901371
Al系スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-115273
公開番号（公開出願番号）：特開平10-060636
出願日： 1997年04月17日
公開日（公表日）： 1998年03月03日
要約：
【要約】【課題】 ターゲットの組織中に存在し、スプラッシュの原因となる微小な空隙の発生を防止したAl系スパッタリング用ターゲットと製造方法を提供する。【課題手段】 Ti,Zr,Cr,Mo,W,V,Nb,Ta,Bおよび希土類元素などのAl化合物形成可能元素が、Alマトリックス中に金属状態もしくは元素単体で残留分散しているAl系スパッタリング用ターゲット材である。0.3m2以上のスパッタ平面積を有するターゲットに適用する。このターゲットは、Al粉末と、Al化合物形成可能元素の粉末とを混合し、好ましくは50MPa以上、400°C〜600°Cで低温加圧焼結することにより得られる。
請求項（抜粋）：
Al化合物形成可能元素が、Alマトリックス中に金属状態もしくは元素単体状態で分散していることを特徴とするAl系スパッタリング用ターゲット。
IPC (5件)：
C23C 14/34
, C22C 1/04
, C22C 21/00
, H01L 21/285
, H01L 21/285 301
C23C 14/34 A
, C22C 1/04 C
, C22C 21/00 N
, H01L 21/285 S
, H01L 21/285 301 L
