微細構造体の製造方法及び微細構造体

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-163148
公開番号（公開出願番号）：特開平11-012770
出願日： 1997年06月19日
公開日（公表日）： 1999年01月19日
要約：

【要約】【課題】加工時間の短縮を図ることができる微細構造体の製造方法を提供する。【解決手段】第1の膜と、第1の膜に密着し、シンクロトロン放射光によってエッチング可能な材料からなる第2の膜との2層を含んで構成される積層基板を準備する。シンクロトロン放射光を透過させない材料からなるパターンが形成されたマスク部材を、積層基板の第2の膜の表面上に密着させ、もしくはある間隔をおいて配置する。マスク部材を介して第2の膜の表面の一部にシンクロトロン放射光を照射することにより、放射光の照射された部分の第2の膜をエッチングし、エッチングされた領域の底面に第1の膜の表面の一部を露出させる。

請求項（抜粋）：

第1の膜と、該第1の膜に密着し、シンクロトロン放射光によってエッチング可能な材料からなる第2の膜との2層を含んで構成される積層基板を準備する工程と、シンクロトロン放射光を透過させない材料からなるパターンが形成されたマスク部材を、前記積層基板の第2の膜の表面上に密着させ、もしくはある間隔をおいて配置する工程と、前記マスク部材を介して前記第2の膜の表面の一部にシンクロトロン放射光を照射することにより、該シンクロトロン放射光の照射された部分の第2の膜をエッチングし、エッチングされた領域の底面に前記第1の膜の表面の一部を露出させる工程とを含む微細構造体の製造方法。

IPC (5件)：

C23F 4/00 , G03F 7/40 521 , G21K 5/02 , H01L 21/027 , H01L 21/302

FI (5件)：

C23F 4/00 Z , G03F 7/40 521 , G21K 5/02 X , H01L 21/30 531 Z , H01L 21/302 Z

引用特許：

審査官引用 (7件)

微細加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-078031 出願人：セイコー電子工業株式会社
特開平1-217921
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-219740 出願人：沖電気工業株式会社

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