特許
J-GLOBAL ID：200903020719737796

半導体装置

発明者：
飯塚 祐二

飯塚 祐二 について


出願人/特許権者：
富士電機ホールディングス株式会社

富士電機ホールディングス株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-271987
公開番号（公開出願番号）：特開2007-088030
出願日： 2005年09月20日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：
【課題】半導体チップの主電極面にヒートスプレッダをはんだ接合し、該ヒートスプレッダを介してリードを接続したモジュールを対象に、その接合信頼性の向上を図る。【解決手段】絶縁基板2にマウントした半導体チップ3の上面側主電極面に重ねて電極板兼用のヒートスプレッダ7をろう付け(はんだ付け)した上で、ヒートスプレッダの上面に配線リード4を接続した半導体装置において、ヒートスプレッダの金属基材7a(銅,アルミ)の片面にろう材(はんだ)との接合性を高める異種金属膜7b(Ni,Ni-P,Ni-P/Auめっき膜など)を成膜した上で、該面を半導体チップにろう付けし、他方の面にはリード部材としてヒートスプレッダの基材と同種金属の配線リード4を直接接合(例えば、超音波接合)する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体チップの主電極面に重ねて電極板兼用のヒートスプレッダをろう付けした上で、該ヒートスプレッダにリード部材を接続した半導体装置において、 前記ヒートスプレッダの金属基材の片面にろう材との接合性を高める異種金属膜を成膜した上で、該面を半導体チップにろう付けし、他方の面にヒートスプレッダの基材と同種金属のリード部材を直接接合したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/36 ,  H01L 23/48
FI (3件)：
H01L23/36 Z ,  H01L23/48 G ,  H01L23/48 L
Fターム (9件)：
5F136BA30 ,  5F136BB05 ,  5F136BB13 ,  5F136BC03 ,  5F136DA13 ,  5F136DA22 ,  5F136EA13 ,  5F136FA02 ,  5F136FA03
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (7件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-305228   出願人：株式会社デンソー
  • 半導体装置、およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-337827   出願人：ローム株式会社
  • 大電力半導体デバイス
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-217804   出願人：株式会社日立製作所
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