特許
J-GLOBAL ID：200903099075350025

炭素膜および電界放射型の電子放出源

発明者：
王 宏興

王 宏興 について

, 
江 南

江 南 について

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羽場 方紀

羽場 方紀 について


出願人/特許権者：
ダイヤライトジャパン株式会社

ダイヤライトジャパン株式会社 について


代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-256829
公開番号（公開出願番号）：特開2007-070140
出願日： 2005年09月05日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：
【課題】印加電圧の増大に対して電界放射電流が飽和しにくく、かつ、電界放射特性に優れた炭素膜を提供すること。【解決手段】細長い針状に成膜されている炭素膜において、ファウラノルドハイムの式における電界集中係数βが、任意の位置での先端までの高さをh、半径をrとして、h/rの式で表され、かつ、その半径が任意の位置から先端に向かうにつれて小さくなる形状を備え、かつ、先端領域にナノダイヤモンド微粒子が成膜されている。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
細長い針状に成膜されている炭素膜において、 任意の位置から先端までの高さをh、その位置での半径をrとして、ファウラノルドハイムの式における電界集中係数βがh/rの式で表され、かつ、その半径が先端に向けて小さくなる形状に成膜され、かつ、先端領域にナノダイヤモンド微粒子が成膜されている、ことを特徴とする炭素膜。
IPC (4件)：
C01B 31/02 ,  H01J 1/304 ,  B82B 1/00 ,  C23C 16/26
FI (4件)：
C01B31/02 101Z ,  H01J1/30 F ,  B82B1/00 ,  C23C16/26
Fターム (26件)：
4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AD29 ,  4G146BA12 ,  4G146BC16 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC33B ,  4G146BC34B ,  4G146BC38B ,  4G146DA03 ,  4G146DA04 ,  4G146DA16 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA27 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030HA01 ,  5C031DD17 ,  5C135AA15 ,  5C135AB05 ,  5C135AB06 ,  5C135AC03 ,  5C135HH02
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 電子エミッタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-023186   出願人：スミスズインダストリーズパブリックリミテッドカンパニー, ワンナンワン
審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (3件)

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