特許
J-GLOBAL ID：200903099089459054

半導体装置及びその製造方法

発明者：
筒井 弘

筒井 弘 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-067098
公開番号（公開出願番号）：特開平11-266011
出願日： 1998年03月17日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：
【要約】【課題】 短チャネル効果及び逆短チャネル効果を抑制することを課題とする。【解決手段】 ゲート絶縁膜3を介してゲート電極7が形成された半導体基板2上に第1導電型の不純物をイオン注入することによってLDD領域8を形成する工程と、ゲート電極7をマスクとして第2導電型の不純物をイオン注入することによりLDD領域8下部に第1反転層9aを形成する工程と、ゲート電極7をマスクとして第2導電型の不純物をイオン注入することによりゲート電極7側のLDD領域8の側部に第2反転層9bを形成する工程と、ゲート電極7の側壁にサイドウォールスペーサー11を形成する工程と、ゲート電極7及びサイドウォールスペーサー11をマスクとしてイオン注入することによりソース/ドレイン領域12を形成する工程とからなることを特徴とする製造方法により得られる半導体装置により上記課題を解決する。
請求項（抜粋）：
ゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成された半導体基板上に第1導電型の不純物をイオン注入することによってLDD領域を形成する工程と、ゲート電極をマスクとして第2導電型の不純物をイオン注入することによりLDD領域下部に第1反転層を形成する工程と、ゲート電極をマスクとして第2導電型の不純物をイオン注入することによりゲート電極側のLDD領域の側部に第2反転層を形成する工程と、ゲート電極の側壁にサイドウォールスペーサーを形成する工程と、ゲート電極及びサイドウォールスペーサーをマスクとしてイオン注入することによりソース/ドレイン領域を形成する工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092
FI (5件)：
H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/265 V ,  H01L 21/265 F ,  H01L 27/08 321 E ,  H01L 29/78 301 L
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM