特許

J-GLOBAL ID：200903099116300046

微細パターン及びその母型を形成する方法

発明者： 熊井 次男 ,  伊藤 健一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-028273
公開番号（公開出願番号）：特開2004-237526
出願日： 2003年02月05日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：

【課題】本発明は、従来よりも広い領域に均一かつ高密度で形成された凹凸形状を有する微細構造パターンを形成する方法、及びその母型を形成する方法を提供することである。【解決手段】本方法は、所定の基板上に、多数のプラスチック粒子を配列させる配列工程と、前記基板上及び前記プラスチック粒子どうしの隙間に、所定の金属元素を析出させるめっき工程と、前記プラスチック粒子を有機溶剤に溶解させる工程を有する微細パターンの形成方法である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

所定の基板上に、多数のプラスチック粒子を配列させる配列工程と、 前記基板上及び前記プラスチック粒子どうしの隙間に、所定の金属元素を析出させるめっき工程と、 前記プラスチック粒子を有機溶剤に溶解させる工程 を有することを特徴とする微細パターンの形成方法。

IPC (6件)：

B29C33/38 ,  C25D1/00 ,  C25D1/10 ,  C25D5/02 ,  C25D7/00 ,  G11B5/84

FI (7件)：

B29C33/38 ,  C25D1/00 321 ,  C25D1/10 ,  C25D5/02 B ,  C25D7/00 K ,  C25D7/00 S ,  G11B5/84 Z

Fターム (31件)：

4F202AF01 ,  4F202AG05 ,  4F202AH38 ,  4F202AH79 ,  4F202AJ02 ,  4F202AJ09 ,  4F202CA11 ,  4F202CA30 ,  4F202CB01 ,  4F202CD12 ,  4F202CD23 ,  4K024AA01 ,  4K024AA02 ,  4K024AB08 ,  4K024AB15 ,  4K024AB19 ,  4K024BA15 ,  4K024BB14 ,  4K024DB10 ,  4K024FA23 ,  4K024GA16 ,  5D112AA02 ,  5D112AA03 ,  5D112AA05 ,  5D112AA18 ,  5D112AA24 ,  5D112BA03 ,  5D112BA09 ,  5D112BA10 ,  5D112BB01 ,  5D112CC05