半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：小川勝男 , 田中恭助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-424301
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183766
出願日： 2003年12月22日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：

【課題】低誘電率膜と保護絶縁膜の両方について比誘電率及びリーク電流を低減することが可能な、保護絶縁膜の形成方法。【解決手段】低誘電率膜の上に、SiC系保護絶縁膜とSiO系保護絶縁膜をこの順番に形成することにより、低誘電率膜と保護絶縁膜の比誘電率及びリーク電流を低減できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体素子と配線を含む基板と、この基板上に形成された比誘電率が3以下の低誘電率膜と、前記低誘電率膜の上に形成された酸素原子濃度及び窒素原子濃度がそれぞれ10%未満の第1の保護絶縁膜と、前記第1の保護絶縁膜の上に形成された酸素原子濃度が10%以上の第2の保護絶縁膜と、前記低誘電率膜と第1の保護絶縁膜と第2の保護絶縁膜から成る積層構造に形成された溝あるいは孔と、前記溝あるいは孔に埋め込まれた金属膜と、前記金属膜と第2の保護絶縁膜の上に形成されたバリア絶縁膜とを、少なくとも有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L21/768 , H01L21/312

FI (3件)：

H01L21/90 M , H01L21/312 N , H01L21/90 A

Fターム (80件)：

5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR09 , 5F033RR21 , 5F033RR25 , 5F033SS02 , 5F033SS03 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033SS21 , 5F033TT02 , 5F033TT04 , 5F033WW00 , 5F033WW02 , 5F033WW04 , 5F033XX00 , 5F033XX01 , 5F033XX03 , 5F033XX24 , 5F033XX28 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AC10 , 5F058AD05 , 5F058AD09 , 5F058AD10 , 5F058AD11 , 5F058AD12 , 5F058AF04 , 5F058AH02 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC04 , 5F058BC20 , 5F058BD04 , 5F058BD06 , 5F058BD10 , 5F058BD18 , 5F058BD19 , 5F058BF07

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-348736 出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-135301 出願人：株式会社ルネサステクノロジ
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-094351 出願人：株式会社日立製作所
プラズマエッチング法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-230753 出願人：ソニー株式会社

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