特許
J-GLOBAL ID：200903099496999012

基板の処理方法及び基板の処理装置

発明者：
山口 正雄

山口 正雄 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 金本 哲男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-012018
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329719
出願日： 2002年01月21日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：
【要約】【課題】 層間絶縁膜に関するウェハの処理時間を短縮し,当該処理時間を各ウェハ間で一定にする。【解決手段】 層間絶縁膜の硬化処理を,層間絶縁膜の形成されたウェハWをヒータ61によって加熱された載置台60上に載置し,当該ウェハWに電子線管66から電子線を照射することによって行う。これによって,層間絶縁膜の硬化処理がより短時間で行われ,ウェハWの総処理時間が短縮される。また,当該硬化処理を枚葉式で行うことができるので,バッチ式のようにウェハWの待ち時間が無くなり,ウェハWの処理時間が一定になる。
請求項（抜粋）：
基板の処理方法であって,基板に層間絶縁膜を形成する工程と,処理室内で前記基板上の層間絶縁膜に対して電子線を照射し,当該層間絶縁膜を硬化させる工程とを有することを特徴とする,基板の処理方法。
IPC (6件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/68 ,  H01L 21/768
FI (6件)：
H01L 21/316 G ,  H01L 21/31 A ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/68 N ,  H01L 21/90 Q ,  H01L 21/30 567
Fターム (70件)：
5F031CA02 ,  5F031CA05 ,  5F031DA01 ,  5F031FA01 ,  5F031FA02 ,  5F031FA07 ,  5F031FA11 ,  5F031FA12 ,  5F031FA15 ,  5F031GA38 ,  5F031GA43 ,  5F031GA47 ,  5F031GA48 ,  5F031GA49 ,  5F031HA02 ,  5F031HA33 ,  5F031HA37 ,  5F031HA58 ,  5F031HA59 ,  5F031JA01 ,  5F031JA10 ,  5F031JA21 ,  5F031JA22 ,  5F031JA40 ,  5F031JA45 ,  5F031JA47 ,  5F031KA02 ,  5F031KA11 ,  5F031LA07 ,  5F031MA26 ,  5F031MA30 ,  5F031NA04 ,  5F031NA09 ,  5F031PA30 ,  5F033QQ54 ,  5F033RR09 ,  5F033RR21 ,  5F033RR25 ,  5F033SS00 ,  5F033SS21 ,  5F033SS22 ,  5F033TT03 ,  5F033XX34 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045AF01 ,  5F045BB03 ,  5F045BB08 ,  5F045CA15 ,  5F045CB05 ,  5F045EB08 ,  5F045EB20 ,  5F045EN04 ,  5F045GB05 ,  5F045HA19 ,  5F045HA25 ,  5F046KA01 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BD07 ,  5F058BF46 ,  5F058BG03 ,  5F058BG04 ,  5F058BH01 ,  5F058BH16 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ02
引用特許：
審査官引用 (7件)
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