特許
J-GLOBAL ID:200903099513952017
半導体発光素子およびこれを用いた照明装置
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
岩橋 文雄
, 内藤 浩樹
, 永野 大介
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-213688
公開番号(公開出願番号):特開2007-035735
出願日: 2005年07月25日
公開日(公表日): 2007年02月08日
要約:
【課題】従来の製造工程を変更することなく、コンタクト電極を保護することで、輝度低下を防止することが可能な半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子1は、基板2にn型半導体層3が設けられ、n型半導体層3にn電極4および発光層5が設けられ、発光層5に、p型半導体層6と、コンタクト電極7と、反射電極8と、p電極9とが順次積層されている。p電極9は、コンタクト電極7を溶解させる溶液に対して耐溶解性を有しており、コンタクト電極7と反射電極8とを覆うように形成されている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板に、n型半導体層と、発光層と、p型半導体層と、コンタクト電極が設けられ、前記コンタクト電極に、反射電極およびp電極とが設けられた半導体発光素子において、
前記反射電極または前記p電極のいずれか一方または両方が、カバー電極として前記コンタクト電極を覆うように形成され、
前記カバー電極は、前記コンタクト電極を溶解させる溶液に対して耐溶解性を有していることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (21件):
5F041AA04
, 5F041AA41
, 5F041CA04
, 5F041CA13
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA86
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041CA94
, 5F041DA04
, 5F041DA09
, 5F041DA13
, 5F041DA19
, 5F041DA33
, 5F041DA36
, 5F041DA43
, 5F041DA57
, 5F041DA82
, 5F041FF11
引用特許:
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (8件)
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半導体発光素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-431751
出願人:日亜化学工業株式会社
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窒化ガリウム系化合物半導体素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-036619
出願人:豊田合成株式会社
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発光半導体の方法及び装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-071027
出願人:ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー
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