特許
J-GLOBAL ID：200903096942080185

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

発明者：
三木 久幸

三木 久幸 について

, 
篠原 裕直

篠原 裕直 について

, 
亀井 宏二

亀井 宏二 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-195095
公開番号（公開出願番号）：特開2007-013045
出願日： 2005年07月04日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：
【課題】 光取り出し効率に優れた反射型正極を備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供すること。【解決手段】 基板上にn型半導体層、発光層およびp型半導体層からなる窒化ガリウム系化合物半導体の積層構造体を有する発光素子において、p型半導体層上に設けられた正極が透明材料層および該透明材料層上に設けられた反射性金属層からなる反射型正極であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上にn型半導体層、発光層およびp型半導体層からなる窒化ガリウム系化合物半導体の積層構造体を有する発光素子において、p型半導体層上に設けられた正極が透明材料層および該透明材料層上に設けられた反射性金属層からなる反射型正極であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (2件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C
Fターム (8件)：
5F041AA03 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (7件)
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