特許
J-GLOBAL ID：200903099563518636

基板の現像処理方法および基板の現像処理装置

発明者：
後藤 友宏

後藤 友宏 について

, 
真田 雅和

真田 雅和 について

, 
玉田 修

玉田 修 について


出願人/特許権者：
大日本スクリーン製造株式会社

大日本スクリーン製造株式会社 について


代理人 (1件)： 間宮 武雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-189361
公開番号（公開出願番号）：特開2008-016780
出願日： 2006年07月10日
公開日（公表日）： 2008年01月24日
要約：
【課題】基板の表面に形成された露光後のレジスト膜を現像処理するときに、パターン寸法の微細化に伴って起こるレジストパターン倒壊の発生を防止することができ、後工程に悪影響を及ぼす心配も無い方法を提供する。【解決手段】基板Wの表面に形成された露光後のレジスト膜を現像処理する工程において、現像液供給ノズル28から疎水化剤が混合された現像液を基板表面のレジスト膜上へ供給し、現像処理後にリンス処理しスピン乾燥する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板の表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を供給してレジスト膜を現像処理する現像工程と、 基板表面に形成された現像処理後のレジスト膜上へリンス液を供給してリンス処理するリンス工程と、 基板を水平姿勢で鉛直軸回りに回転させて、基板表面に形成されたリンス処理後のレジスト膜を乾燥させる乾燥工程と、 を含む基板の現像処理方法において、 前記現像工程において、疎水化剤が混合された現像液を基板表面のレジスト膜上へ供給することを特徴とする基板の現像処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/32 ,  G03F 7/30
FI (4件)：
H01L21/30 569E ,  H01L21/30 569C ,  G03F7/32 ,  G03F7/30 502
Fターム (12件)：
2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096GA02 ,  2H096GA05 ,  2H096GA10 ,  2H096GA17 ,  2H096GA20 ,  2H096GA30 ,  5F046LA03 ,  5F046LA04 ,  5F046LA12
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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