半導体装置製造方法及び半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-187547
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036118
出願日： 1995年07月24日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【課題】従来のバンプ形成方法ではプレート上の凹部形状矩形状であったため、バンプの形成位置及び形状にバラツキが生じやすい等の課題があった。【解決手段】バンプを形成するプレートにシリコン基板を用い、シリコン基板(110)結晶面に(1-11)結晶面と平行な辺を持つ、ひし形のパターンにより異方性エッチングを行なうことによりくさび形の凹部を形成し、この凹部にハンダペーストを充填し加熱することによりハンダボールを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体チップのパッドに対応して凹部が形成されたプレートの該凹部にバンプ形成材料を充填し、該バンプ形成材料を加熱することによりバンプを成形する半導体装置製造方法において、前記プレートを前記凹部形成面が(110)結晶面となるように切り出された基板で構成し、(1-11)結晶方向と略平行となるような平行四辺形のパターン形成すべくエッチングを行ない、前記凹部を形成し、前記バンプを形成することを特徴とする半導体装置製造方法。

引用特許：

審査官引用 (6件)

はんだバンプの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-023576 出願人：沖電気工業株式会社
バンプ形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-165562 出願人：日本電気株式会社
はんだバンプ形成方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-145962 出願人：富士通株式会社

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