特許
J-GLOBAL ID：200903099630232432
半導体装置、および半導体装置の実装体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-359721
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176909
出願日： 1999年12月17日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子と回路基板の熱膨張率の相違、および回路基板の機械的変形に起因した応力を確実に緩和し、半導体装置と回路基板との接続信頼性に優れた構造の半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体素子が形成された半導体基板5と、半導体基板の主面上に形成されたパッド電極8と、半導体基板の主面上に形成された保護樹脂層4と、保護樹脂層を貫通する金属体6と、金属体とパッド電極とを接続する金属配線7と、保護樹脂層の表面に金属体と接続して設けられ回路基板との接続に用いられる接続電極2とを備える。接続電極は、導電性樹脂2aで構成された部分を含む構造である。
請求項（抜粋）：
半導体素子が形成された半導体基板と、前記半導体基板の主面上に形成された複数個のパッド電極と、前記半導体基板の主面上に前記パッド電極を覆って形成された保護樹脂層と、前記保護樹脂層を貫通する複数個の金属体と、前記保護樹脂層下に形成され前記金属体と前記パッド電極とを接続する金属配線と、前記保護樹脂層の表面部に前記各金属体と接続して各々設けられた接続電極とを備えた半導体装置であって、前記接続電極は、導電性樹脂で構成された部分を含む構造であることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (6件)：
H01L 21/92 603 C
, H01L 21/92 602 F
, H01L 21/92 602 K
, H01L 21/92 604 B
, H01L 21/92 604 E
, H01L 23/12 L
