半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：真田有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-230194
公開番号（公開出願番号）：特開2008-004961
出願日： 2007年09月05日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：

【課題】透明性、耐光性、耐熱性に優れ、長期間使用してもクラックや剥離を生じることなく半導体発光デバイスを封止し、蛍光体を保持することのできる、新規な半導体発光デバイス用部材を提供する。【解決手段】(1)固体Si-核磁気共鳴スペクトルにおいて、 (i)ピークトップの位置がケミカルシフト-40ppm以上0ppm以下の領域にあり、ピークの半値幅が0.5ppm以上、3.0ppm以下であるピーク、及び、 (ii)ピークトップの位置がケミカルシフト-80ppm以上-40ppm未満の領域にあり、ピークの半値幅が1.0ppm以上5.0ppm以下であるピークからなる群より選ばれるピークを、少なくとも1つ有するとともに、(2)ケイ素含有率が20重量%以上であり、(3)シラノール含有率が0.1重量%以上、10重量%以下である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(1)固体Si-核磁気共鳴スペクトルにおいて、 (i)ピークトップの位置がケミカルシフト-40ppm以上0ppm以下の領域にあり、ピークの半値幅が0.5ppm以上、3.0ppm以下であるピーク、及び、 (ii)ピークトップの位置がケミカルシフト-80ppm以上-40ppm未満の領域にあり、ピークの半値幅が1.0ppm以上5.0ppm以下であるピークからなる群より選ばれるピークを、少なくとも1つ有するとともに、 (2)ケイ素含有率が20重量%以上であり、 (3)シラノール含有率が0.1重量%以上、10重量%以下であり、膜厚0.5mmでの350nm以上500nm以下の発光波長における光透過率が80%以上であり、 SiXnY14-n(前記式中、Xは加水分解性基を表わし、Y1は1価の有機基を表わし、nはX基の数を表わす1以上4以下の整数を表わす。)で表わされる化合物及び/又はそのオリゴマーを加水分解・重縮合して得られる重縮合物を乾燥する工程を経て得られることを特徴とする、半導体発光デバイス用部材。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 N

Fターム (10件)：

5F041AA43 , 5F041AA44 , 5F041DA07 , 5F041DA12 , 5F041DA18 , 5F041DA20 , 5F041DA46 , 5F041DA61 , 5F041DB01 , 5F041EE25

引用特許：

出願人引用 (5件)

特許第3275308号公報
発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-396258 出願人：岡谷電機産業株式会社
蛍光体層形成用液
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-434786 出願人：株式会社槌屋

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審査官引用 (2件)

窒化物系蛍光体および発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-326155 出願人：日亜化学工業株式会社
LEDランプ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-078267 出願人：豊田合成株式会社, 株式会社光波

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