特許
J-GLOBAL ID：200903099864152580
静電容量型センサ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
有我 軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-294923
公開番号（公開出願番号）：特開2006-108491
出願日： 2004年10月07日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：
【課題】 低コストで検知感度の向上を図ることができる静電容量型センサを提供すること。 【解決手段】 シリコンマイク素子20は、シリコン支持基板21と、シリコン支持基板21上に形成された酸化シリコン層22と、酸化シリコン層22上に形成された可動電極板23と、シリコン支持基板21上に設けられた支持部に支持されたバックプレート25と、可動電極板23に設けられた第1電極26と、バックプレート25に設けられた第2電極27とを有し、可動電極板23は、犠牲層24を介してバックプレート25と対向配置され、音波の強さに応じて振動するダイアフラム23aを備え、支持部は、酸化シリコン層22、研磨ストッパ36及び犠牲層24とを備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成された第1絶縁層と、前記第1絶縁層上に形成された可動電極板と、前記可動電極板から所定の間隔をおいて対向配置された固定電極板と、前記基板上に設けられ前記固定電極板を支持する支持部とを備え、
前記支持部は、前記第1絶縁層と、前記所定の間隔を設定する第2絶縁層と、前記可動電極板と同一の厚さで前記第1絶縁層上に形成された第3絶縁層とを含むことを特徴とする静電容量型センサ。
IPC (5件)：
H01L 29/84
, G01L 1/14
, G01P 15/125
, H04R 19/04
, H04R 31/00
H01L29/84 Z
, G01L1/14 K
, G01P15/125 Z
, H04R19/04
, H04R31/00 C
4M112AA06
, 4M112BA07
, 4M112CA01
, 4M112CA03
, 4M112CA13
, 4M112DA02
, 4M112DA06
, 4M112DA16
, 4M112DA18
, 4M112EA02
, 4M112EA06
, 4M112EA11
, 4M112FA01
, 5D021CC02
, 5D021CC07
, 5D021CC12
, 5D021CC19
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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