分島彰男

ワケジマアキオ | Wakejima Akio

所属機関・部署：
職名：准教授
論文 (22件)：

Naoki Kato, Akio Wakejima, Yamato Osada, Ryuichiro Kamimura, Kenji Itoh, Takashi Egawa. An AlGaN/GaN field effect diode with a high turn-on voltage controllability. physica status solidi (a). 2017. 214. 8
K. Tamesue, T. Egawa, A. Wakejima. Distortion in Difference Frequency Under Two-Tone Signal Input Evaluated with Volterra Series Analysis. Digest of 2016 Compound Semicondutor IC Symposium. 2016
Naoki Kato, Takaya Nagai, Akio Wakejima, Yamato Osada, Ryuichiro Kamimura, Kenji Itou, Takashi Egawa. An AlGaN/GaN Field Effect Diode with a High Turn-On Voltage Controllability. Digest of 2016 International Workshop on Nitride Semiconductors. 2016
Suguru Mase, Akio Wakejima, Takashi. Analysis of Carrier Trapping and Emission in AlGaN/GaN HEMT with Bias-Controllable Field Plate. Digest of 2016 International Workshop on Nitride Semiconductors. 2016
Tomotaka Narita, Akio Wakejima, Takashi Egawa. Local gate leakage current induced by inhomogeneous epitaxial growth in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors. Applied Physics Express. 2016. 9. 3. 031002

講演・口頭発表等 (15件)：

ミリ波による高速通信の拡大を牽引するSi基板上の窒化物半導体トランジスタの研究開発
(ICTイノベーションフォーラム2017 2017)
AlGaN/GaN Field-Effect Diode for High Frequency Rectification
(12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics 2017)
Microwave Leakage through Buffer Layer of AlGaN/GaN HEMT on Si
(12th International Conference on Nitride Semiconductors ... 2017)
GaN 系 HEMT のノーマリオフ化に向けた選択ドライエッチング
(第 61 回応用物理学会春季学術講演会 2014)
透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いたゲート電極直下の変動要因探査
(2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会 2013)

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分島 彰男