分島彰男

ワケジマアキオ | Wakejima Akio

所属機関・部署：

研究分野 (1件)：電子デバイス、電子機器

競争的資金等の研究課題 (2件)：

論文 (74件)：

Naoya Kishimoto, Gen Taguchi, Yoichi Tsuchiya, Debaleen Biswas, Qiang Ma, Hidemasa Takahashi, Yuji Ando, Akio Wakejima. High-Efficiency Rectification Characteristics at 2.4 GHz With AlGaN/GaN GADs for Microwave WPT. IEEE Microwave and Wireless Technology Letters. 2025. 35. 3. 310-313
Tomoya Watanabe, Hidemasa Takahashi, Ryutaro Makisako, Akio Wakejima, Yuji Ando, Jun Suda. Impact of a Moderately Doped Contact Layer on Breakdown Voltage in AlGaN/GaN Gated-Anode Diodes for Microwave Rectification. IEEE Transactions on Electron Devices. 2025. 72. 3. 1008-1013
Tomoharu Sugino, Akio Wakejima, Yoichi Tsuchiya, Tomohiko Sugiyama, Kentaro Nonaka, Yoshitaka Kuraoka. First Demonstration of Watt-Class Output Power at 2.4 GHz of AlGaN/GaN HEMTs on Semi-Insulating Mn-Doped GaN Substrates. 2024 IEEE Asia-Pacific Microwave Conference (APMC). 2024. 1129-1131
Taisei Nakase, Shigeomi Hishiki, Hidehiko Oku, Arijit Bose, Akio Wakejima. Microwave Power Performance of AlGaN/GaN HEMT on SiC/High-Resistive Si Substrate. 2024 IEEE Asia-Pacific Microwave Conference (APMC). 2024. 1203-1205
Debaleen Biswas, Arijit Bose, Hidemasa Takahashi, Yuji Ando, Akio Wakejima. Gated-anode diodes for RF and microwave rectifiers for WPT applications: a simulation study on DC and RF characteristics. Journal of Computational Electronics. 2024. 23. 6. 1368-1379

MISC (58件)：

分島彰男, 土屋洋一, 安藤裕二, 高橋英匡, 新田州吾, 柳生栄治, 林宏暁, 伊東健治, 坂井尚貴. GaN HEMTを用いたGated-Anodeダイオードのマイクロ波整流特性-Microwave Rectifier Characteristics of Gated-Anode GaN HEMT based Diode-電子デバイス研究会高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用(第2期). 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]. 2022. 2022. 17-25. 41-45
浦野紫陽, 馬強, 安藤裕二, 田中敦之, 分島彰男. SiC基板上GaN HEMTのfilm stressとEL発光色. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2021. 2021.2. 2719-2719
竹内魁, 須賀唯知, 田中敦之, 分島彰男. GaN/カーボン材料の低熱抵抗界面を目的としたAu低温接合. 精密工学会学術講演会講演論文集. 2021. 2021S. 699-700
高橋英匡, 安藤裕二, 生島百恵, 分島彰男, 須田淳. ゲートリセス構造GaN HEMT を用いたゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2021. 2021.1. 2424-2424
小畑智弘, 福井青空, 齊藤裕人, Li Lei, 分島彰男. 異方性熱伝導カーボン材の過渡熱特性の測定. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2021. 2021.1. 2876-2876

書籍 (1件)：

講演・口頭発表等 (29件)：

Gated-Anode AlGaN/GaN Diode for Microwave Wireless Power Transfer
(2021 Taiwan Wireless Power Transfer International Workshop 2021)
GaNと高熱伝導カーボンコンポジット系材料の接合試料における過渡温度評価
(第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021)
SiC基板上GaN HEMTのfilm stressとEL発光色
(第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021)
異方性熱伝導カーボン材の過渡熱特性の測定
(第68回応用物理学会春季学術講演会 2021)
ゲートリセス構造GaN HEMT を用いたゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性
(第68回応用物理学会春季学術講演会 2021)

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分島 彰男