研究者
J-GLOBAL ID:201001055056427609   更新日: 2020年06月04日

分島 彰男

ワケジマ アキオ | Wakejima Akio
所属機関・部署:
職名: 准教授
論文 (22件):
  • Naoki Kato, Akio Wakejima, Yamato Osada, Ryuichiro Kamimura, Kenji Itoh, Takashi Egawa. An AlGaN/GaN field effect diode with a high turn-on voltage controllability. physica status solidi (a). 2017. 214. 8
  • K. Tamesue, T. Egawa, A. Wakejima. Distortion in Difference Frequency Under Two-Tone Signal Input Evaluated with Volterra Series Analysis. Digest of 2016 Compound Semicondutor IC Symposium. 2016
  • Naoki Kato, Takaya Nagai, Akio Wakejima, Yamato Osada, Ryuichiro Kamimura, Kenji Itou, Takashi Egawa. An AlGaN/GaN Field Effect Diode with a High Turn-On Voltage Controllability. Digest of 2016 International Workshop on Nitride Semiconductors. 2016
  • Suguru Mase, Akio Wakejima, Takashi. Analysis of Carrier Trapping and Emission in AlGaN/GaN HEMT with Bias-Controllable Field Plate. Digest of 2016 International Workshop on Nitride Semiconductors. 2016
  • Tomotaka Narita, Akio Wakejima, Takashi Egawa. Local gate leakage current induced by inhomogeneous epitaxial growth in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors. Applied Physics Express. 2016. 9. 3. 031002
もっと見る
講演・口頭発表等 (15件):
  • ミリ波による高速通信の拡大を牽引するSi基板上の窒化物半導体トランジスタの研究開発
    (ICTイノベーションフォーラム2017 2017)
  • AlGaN/GaN Field-Effect Diode for High Frequency Rectification
    (12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics 2017)
  • Microwave Leakage through Buffer Layer of AlGaN/GaN HEMT on Si
    (12th International Conference on Nitride Semiconductors ... 2017)
  • GaN 系 HEMT のノーマリオフ化に向けた選択ドライエッチング
    (第 61 回応用物理学会春季学術講演会 2014)
  • 透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いたゲート電極直下の変動要因探査
    (2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会 2013)
もっと見る
※ J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る