研究者
J-GLOBAL ID:201001055056427609
更新日: 2025年04月24日
分島 彰男
ワケジマ アキオ | Wakejima Akio
所属機関・部署:
競争的資金等の研究課題 (2件):
- 2024 - 2027 高Al組成GaN-HEMTのドレイン電流伝導機構に関する基礎研究
- 2013 - 2013 半導体の持続的な進化を支えるGaN系半導体向けプロセス「イオン注入+局所アニール」技術に関する研究
論文 (74件):
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Naoya Kishimoto, Gen Taguchi, Yoichi Tsuchiya, Debaleen Biswas, Qiang Ma, Hidemasa Takahashi, Yuji Ando, Akio Wakejima. High-Efficiency Rectification Characteristics at 2.4 GHz With AlGaN/GaN GADs for Microwave WPT. IEEE Microwave and Wireless Technology Letters. 2025. 35. 3. 310-313
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Tomoya Watanabe, Hidemasa Takahashi, Ryutaro Makisako, Akio Wakejima, Yuji Ando, Jun Suda. Impact of a Moderately Doped Contact Layer on Breakdown Voltage in AlGaN/GaN Gated-Anode Diodes for Microwave Rectification. IEEE Transactions on Electron Devices. 2025. 72. 3. 1008-1013
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Tomoharu Sugino, Akio Wakejima, Yoichi Tsuchiya, Tomohiko Sugiyama, Kentaro Nonaka, Yoshitaka Kuraoka. First Demonstration of Watt-Class Output Power at 2.4 GHz of AlGaN/GaN HEMTs on Semi-Insulating Mn-Doped GaN Substrates. 2024 IEEE Asia-Pacific Microwave Conference (APMC). 2024. 1129-1131
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Taisei Nakase, Shigeomi Hishiki, Hidehiko Oku, Arijit Bose, Akio Wakejima. Microwave Power Performance of AlGaN/GaN HEMT on SiC/High-Resistive Si Substrate. 2024 IEEE Asia-Pacific Microwave Conference (APMC). 2024. 1203-1205
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Debaleen Biswas, Arijit Bose, Hidemasa Takahashi, Yuji Ando, Akio Wakejima. Gated-anode diodes for RF and microwave rectifiers for WPT applications: a simulation study on DC and RF characteristics. Journal of Computational Electronics. 2024. 23. 6. 1368-1379
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MISC (58件):
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分島 彰男, 土屋 洋一, 安藤 裕二, 高橋 英匡, 新田 州吾, 柳生 栄治, 林 宏暁, 伊東 健治, 坂井 尚貴. GaN HEMTを用いたGated-Anodeダイオードのマイクロ波整流特性-Microwave Rectifier Characteristics of Gated-Anode GaN HEMT based Diode-電子デバイス研究会 高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用(第2期). 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]. 2022. 2022. 17-25. 41-45
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浦野 紫陽, 馬 強, 安藤 裕二, 田中 敦之, 分島 彰男. SiC基板上GaN HEMTのfilm stressとEL発光色. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2021. 2021.2. 2719-2719
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竹内 魁, 須賀 唯知, 田中 敦之, 分島 彰男. GaN/カーボン材料の低熱抵抗界面を目的としたAu低温接合. 精密工学会学術講演会講演論文集. 2021. 2021S. 699-700
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高橋 英匡, 安藤 裕二, 生島 百恵, 分島 彰男, 須田 淳. ゲートリセス構造GaN HEMT を用いたゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2021. 2021.1. 2424-2424
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小畑 智弘, 福井 青空, 齊藤 裕人, Li Lei, 分島 彰男. 異方性熱伝導カーボン材の過渡熱特性の測定. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2021. 2021.1. 2876-2876
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書籍 (1件):
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空間伝送型ワイヤレス給電技術の最前線
シーエムシー出版 2021
講演・口頭発表等 (29件):
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Gated-Anode AlGaN/GaN Diode for Microwave Wireless Power Transfer
(2021 Taiwan Wireless Power Transfer International Workshop 2021)
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GaNと高熱伝導カーボンコンポジット系材料の接合試料における過渡温度評価
(第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021)
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SiC基板上GaN HEMTのfilm stressとEL発光色
(第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021)
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異方性熱伝導カーボン材の過渡熱特性の測定
(第68回応用物理学会春季学術講演会 2021)
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ゲートリセス構造GaN HEMT を用いたゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性
(第68回応用物理学会春季学術講演会 2021)
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