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J-GLOBAL ID：201002216788645746   整理番号：10A0490920

ナノエレクトロメカニカルメモリーデバイスのスケール分析

Scaling Analysis of Nanoelectromechanical Memory Devices

著者 (10件)： NAGAMI Tasuku (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  TSUCHIYA Yoshishige (Univ. Southampton, Southampton, GBR) ,  TSUCHIYA Yoshishige (JST-SORST, Saitama, JPN) ,  UCHIDA Ken (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  UCHIDA Ken (JST-SORST, Saitama, JPN) ,  MIZUTA Hiroshi (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MIZUTA Hiroshi (Univ. Southampton, Southampton, GBR) ,  MIZUTA Hiroshi (JST-SORST, Saitama, JPN) ,  ODA Shunri (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  ODA Shunri (JST-SORST, Saitama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 4,Issue 1  ページ： 044304.1-044304.5  発行年： 2010年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不揮発性ナノエレクトロメカニカル(NEM)メモリーデバイスの双安定ブリッジに関し,エレクトロメカニカルスイッチの数値シミュレーションにより,メモリー特性の能力は,懸垂浮動ゲート長さを短くすることによって増強されることを示す。ドリフト拡散解析と組み合わせて,二次元有限要素法エレクトロメカニカルシミュレーションを行い,小型化構造のエレクトロメカニカルスイッチ動作を分析した。NEM浮動ゲート長さを1000から100nmに縮めることで,スイッチ(セット/リセット)電圧が7.2から2.8Vへ,スイッチ時間が63から4.6nsへ,消費電力が16.9から0.13fJに下がった。これは,高速で低電力メモリの利点を示すものと指摘した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MEMS ,  *ナノメータ加工 ,  *量子ドット ,  ナノ結晶 ,  有限要素法 ,  数値解析 ,  計算機シミュレーション ,  記憶装置 ,  *不揮発性メモリ ,  微細加工 ,  NEMS ,  有限要素解析 ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： ナノエレクトロメカニカルシステム ,  FEM解析 ,  超微細加工

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (25件)：

• A. N. Cleland and M. L. Roukes: Appl. Phys. Lett.69(1996)2653.
• J. B. Sampsell: J. Vac. Sci. Technol. B 12(1994)3242.
• H. Fujii, S. Kanemaru, T. Matsukawa, and J. Itoh: Appl. Phys. Lett.75(1999)3986.
• A. Tilke, L. Pescini, A. Erbe, H. Lorenz, and R. H. Blick: Nanotechnology 13(2002)491.
• R. H. Blick, A. Erbe, L. Pescini, A. Kraus, D. V. Scheible, F. W. Bell, E. Hoehberger, A. Hoerner, J. Kirschbaum, H. Lorenz, and J. P. Kotthaus: J. Phys.: Condens. Matter 14(2002) R905.

タイトルに関連する用語 (2件)： スケール ,  分析