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J-GLOBAL ID：201002242103556313   整理番号：10A0887416

限界に挑戦する最新リソグラフィー EUVリソグラフィー

著者 (1件)： 田中裕之 (半導体先端テクノロジーズ)
資料名： O plus E  (O plus E)
号： 370  ページ： 1044-1048  発行年： 2010年08月25日 
JST資料番号： Z0994A  ISSN： 0911-5943  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 極端紫外線リソグラフィー(EUVL)の実用化が間近に迫った。本稿ではSeleteの開発成果を含め,最新の世界の開発動向を紹介した。EUVL開発の最大の課題の一つである光源の高出力化は,この1~2年間で大幅に進展し,目標の150~180Wが目前である。レジスト開発では解像度,線幅粗さ,感度を同時に満たす必要がある。また,EUV露光はその特殊性から幾つかのパターン補正が必要で,それぞれについて論じた。試作では,2010年前半に22nm世代のSRAMの動作をほぼ100%のチップで確認できている。

シソーラス用語： *極端紫外線 ,  *フォトリソグラフィー ,  *フォトレジスト ,  半導体プロセス ,  回路パターン形成 ,  分解能 ,  表面粗さ ,  感度 ,  補正
準シソーラス用語： 線幅粗さ ,  パターン補正

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (16件)：

• H. Tanaka, et al.: “Simplified“Litho—Cluster-Only” solution for double patterning,” Proc. of SPIE, Vol.7639_ 81(2010)
• T.-S. Eom, et al.: “Comparative Study of DRAM Cell Patterning between ArF Immersion and EUV Lithography,” Proc. of SPIE, Vol.7271_ 41(2009)
• C. Wagner, et al.: “EUV into production with ASML’s NXE platform,” Proc. of SPIE, Vol.7636_ 52(2010)
• D. Brandt, et al.: “LPP Source System Development for HVM,” Proc. of SPIE, Vol.7636_ 53(2010)
• M. Yoshioka, et al.: “Tin DPP Source Collector Module (SoCoMo): Status of Beta products and HVM developments,” Proc. of SPIE, Vol.7636_ 35(2010)

タイトルに関連する用語 (3件)： 限界 ,  リソグラフィー ,  EUVリソグラフィー