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J-GLOBAL ID：201002243794149715   整理番号：10A0490870

半絶縁性InP基板上に成長させた薄膜横電流注入レーザの連続波動作

Continuous Wave Operation of Thin Film Lateral Current Injection Lasers Grown on Semi-Insulating InP Substrate

著者 (5件)： OKUMURA Tadashi (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  ITO Hitomi (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  KONDO Daisuke (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  NISHIYAMA Nobuhiko (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  ARAI Shigehisa (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 4,Issue 1  ページ： 040205.1-040205.3  発行年： 2010年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい構造設計を採用して,半絶縁性InP基板上に成長させた薄いGaInAsPコア層からなる横電流注入レーザの導波路損失を減少させ,内部量子効率を高めた。これにより閾値電流が劇的に低下した。共振器長720μm,帯幅1.7μmに対して,外部微分量子効率33%,閾値電流11mAで室温連続波動作を実現した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *注入 ,  リン化インジウム ,  半導体材料 ,  *連続レーザ ,  *ヒ化リン化インジウムガリウム ,  量子効率 ,  電流 ,  光導波路 ,  光共振器 ,  閾値電流
準シソーラス用語： *電流注入 ,  内部量子効率

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (15件)：

• D. A. B. Miller: Proc. IEEE 88(2000)728.
• G. Chen, H. Chen, M. Haurylau, N. A. Nelson, D. H. Albonesi, P. M. Fauchet, and E. G. Friedman: Integration 40(2007)434.
• T. Tsuchizawa, K. Yamada, H. Fukuda, T. Watanabe, J. Takahashi, M. Takahashi, T. Shoji, E. Tamechika, S. Itabashi, and H. Morita: IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron.11(2005)232.
• R. Katouf, N. Yamamoto, A. Kanno, N. Sekine, K. Akahane, H. Sotobayashi, T. Isu, and M. Tsuchiya: Appl. Phys. Express 1(2008)122101.
• T. Okamoto, N. Nunoya, Y. Onodera, S. Tamura, and S. Arai: Electron. Lett.37(2001)1455.

タイトルに関連する用語 (7件)： 半絶縁性 ,  InP ,  成長 ,  薄膜 ,  電流注入 ,  レーザ ,  連続波