相補型金属-酸化物-半導体回路のバックエンド金属線上に集積した磁気トンネル接合の性能

ENDOH Tetsuo; IGA Fumitaka; IKEDA Shoji; MIURA Katsuya; MIURA Katsuya; HAYAKAWA Jun; KAMIYANAGI Masashi; HASEGAWA Haruhiro; HANYU Takahiro; OHNO Hideo

文献

J-GLOBAL ID：201002248361213500 整理番号：10A0491173

相補型金属-酸化物-半導体回路のバックエンド金属線上に集積した磁気トンネル接合の性能

The Performance of Magnetic Tunnel Junction Integrated on the Back-End Metal Line of Complimentary Metal-Oxide-Semiconductor Circuits

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=10A0491173&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=10A0491173&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

著者 (10件)： , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 49 号： 4,Issue 2 ページ： 04DM06.1-04DM06.5 発行年： 2010年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

本論文では,相補型金属-酸化物-半導体(CMOS)磁気トンネル接合(MTJ)集積プロセス技術について記述した。MTJは,0.14μmCMOSプロセスと60×180nm²MTJプロセスにより,0.3nmの表面粗さの金属を介して作製した。このプロセス技術により,CMOS論理回路面上に作製したMTJは3.63kΩの抵抗変化(反平行)を実現し,TMR比は室温で138%であった。これは標準的なCMOSロジックのセンシングスキームでは十分に大きい。さらに,この書き込みトランジスタがあるMTJのDC及びAC動作を実証することに成功した。その結果,我々のMTJはトランジスタの十分高い書込み/読出し性能に達し,MTJに基づく論理回路が実現できる。(翻訳著者抄録)

, , , , , ,

トランジスタ

引用文献 (20件)：

International Technology Roadmap for Semiconductors (2008)[http://www.itrs.net/].
N. S. Kim, T. Austin, D. Blaauw, T. Mudge, K. Flautner, J. S. Hu, M. J. Irwin, M. Kandemir, and V. Narayanan: Computer 36(2003) No.12, 68.
W. H. Kautz: IEEE Trans. Comput.18(1969)719.
S. Matsunaga, J. Hayakawa, S. Ikeda, K. Miura, T. Endoh, H. Ohno, and T. Hanyu: Ext. Abstr. Solid State Devices and Materials, 2008, p. 274.
S. Matsunaga, K. Hiyama, A. Matsumoto, S. Ikeda, H. Hasegawa, K. Miura, J. Hayakawa, T. Endoh, H. Ohno, and T. Hanyu: Appl. Phys.Express 2(2009)023004.

, , , , ,

前のページに戻る