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J-GLOBAL ID：201002263555867640   整理番号：10A0235767

光起電力応用のための分子ビームエピタクシーによるSi(111)表面上のn⁺-BaSi₂/p⁺-Siトンネル接合の分子ビームエピタクシーによる作製

Fabrication of n⁺-BaSi₂/p⁺-Si Tunnel Junction on Si(111) Surface by Molecular Beam Epitaxy for Photovoltaic Applications

著者 (8件)： SAITO Takanobu (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  MATSUMOTO Yuta (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SUZUNO Mitsushi (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  TAKEISHI Michitoshi (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SASAKI Ryo (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SUEMASU Takashi (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SUEMASU Takashi (JST-PRESTO, Tokyo, JPN) ,  USAMI Noritaka (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 3  号： 2  ページ： 021301.1-021301.3  発行年： 2010年02月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： BaSi₂テンプレート層厚の異なるn⁺-BaSi₂/p⁺-Siトンネル接合を分子ビームエピタクシー(MBE)により成長させた。テンプレートはエピタキシャルn⁺-BaSi₂の成長には不可欠であるが,接合の抵抗はテンプレート厚と共に増大した。しかし,厚み1nmのテンプレートではエピタキシャル成長と低抵抗を実現できた。0.5Vで21.9A/cm²の電流密度を得た。トンネル接合上に成長させた厚み360nmの非ドープBaSi₂の光応答性はバイアス電圧と共に上昇し,4Vの逆バイアス下,2.3eVで74mA/Wに達した。この値は半導体珪化物に対して報告されている中で最高である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 光起電力 ,  光起電素子 ,  *MBE成長 ,  型 ,  電気抵抗率 ,  *トンネル接合 ,  電流密度 ,  ケイ化物 ,  バリウム化合物 ,  ケイ素 ,  N型半導体 ,  P型半導体 ,  ドーピング ,  *半導体薄膜
準シソーラス用語： テンプレート【型】 ,  珪化バリウム

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (14件)：

• HENRY, C. H. J. Appl. Phys. 1980, 51, 4494
• EVERS, J. Angew. Chem., Int. Ed. Engl. 1977, 16, 659
• MCKEE, R. A. Appl. Phys. Lett. 1993, 63, 2818
• INOMATA, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 2004, 43, 4155
• INOMATA, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 2004, 43, L478

タイトルに関連する用語 (6件)： 光起電力 ,  応用 ,  分子ビームエピタクシー ,  Si ,  トンネル接合 ,  作製