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J-GLOBAL ID:201002273642823611   整理番号:10A0491162

太陽電池に応用するバイオテンプレートと欠陥がない中性ビームエッチングによって作製した新しいSiナノディスク

Novel Si Nanodisk Fabricated by Biotemplate and Defect-Free Neutral Beam Etching for Solar Cell Application
著者 (13件):
資料名:
巻: 49  号: 4,Issue 2  ページ: 04DL16.1-04DL16.5  発行年: 2010年04月25日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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我々は既に,一様なシリコン系2次元量子ドット超格子(2D QDSL)(すなわち,Siナノディスクの2D配列)を,高密度のナノディスク(ND)があり,制御可能なサイズとND間の間隔のx-y面上に開発している。第3次元(z軸)にもっとナノディスクを集積するため,薄膜蒸着,バイオテンプレート,及び先進の新しいエッチングを使って,新しい積層ナノディスク(S-ND)を開発した。S-ND構造は,トンネル接合(TJ)を結合して垂直に連結した2個のNDから成る。走査型透過型電子顕微鏡像はこの積層構造を明瞭に示している。S-NDの量子閉込めは室温でCoulomb階段を観測して確かめた。トンネリング流はTJ厚を変化させて制御できた。ND厚を単に変化させるだけで,バンドギャップエネルギー(Eg)は制御できた。量子効果とEgに関するこれら特性はQDSL太陽電池において重要な役割を果たす。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 
引用文献 (13件):
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