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J-GLOBAL ID：201002274137957812   整理番号：10A1146956

PCVM(Plasma Chemical Vaporization Machining)による2インチSiC基板の全面加工

著者 (7件)： 会田浩平 (大阪大 大学院工学研究科) ,  佐野泰久 (大阪大 大学院工学研究科) ,  西川央明 (大阪大 大学院工学研究科) ,  山村和也 (大阪大 大学院工学研究科) ,  三村秀和 (大阪大 大学院工学研究科) ,  松山智至 (大阪大 大学院工学研究科) ,  山内和人 (大阪大 大学院工学研究科)
資料名： 精密工学会大会学術講演会講演論文集  (精密工学会大会シンポジウム資料集)
巻： 2010  号： 秋季(CD-ROM)  ページ： ROMBUNNO.K45  発行年： 2010年09月10日 
JST資料番号： Y0914A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiCは次世代の省エネルギーパワーデバイス材料として期待されているが,高硬度,高脆性といった物性をもつため高能率・高精度な機械加工は困難である。我々は,PCVMを用いたSiCの加工について研究を行っている。PCVMは大気圧下で局所的に高密度なラジカルを発生させるため,高硬度材料に対しても高速加工が可能である。今回,2インチ基板全面で昇温可能な装置を用い,全面加工を行ったので報告する。(著者抄録)

シソーラス用語： *超精密加工 ,  炭化ケイ素 ,  基板 ,  *ウエハ【IC】 ,  *表面加工 ,  表面粗さ ,  顕微鏡観察 ,  加熱 ,  半導体素子
準シソーラス用語： パワーデバイス ,  *プラズマCVM ,  *背面加工

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  特殊加工  (QC04000Y)

タイトルに関連する用語 (2件)： インチ ,  SiC基板