文献

J-GLOBAL ID：201002276051337873   整理番号：10A0366236

成長条件下のIn_0.25Ga_0.75N表面の安定性とインジウム取込み過程: 第一原理計算

Stability and Indium Incorporation Processes on In_0.25Ga_0.75N Surfaces under Growth Conditions: First-Principles Calculations

著者 (4件)： AKIYAMA Toru (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  YAMASHITA Tomoki (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  NAKAMURA Kohji (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  ITO Tomonori (Mie Univ., Tsu, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 3,Issue 1  ページ： 030212.1-030212.3  発行年： 2010年03月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の配向に対するIn_0.25Ga_0.75N表面のインジウム取込みと構造安定性を第一原理全エネルギー計算に基づいて調べた。温度と圧力の関数として計算した表面状態図は,塊状In濃度が25%の(0001)と(2<span style=text-decoration:overline>2</span>01)表面が低温成長条件に対して安定になることを実証した。対照的に,(1<span style=text-decoration:overline>1</span>00)表面は広範囲のの成長条件に対して最上部のGa-N二量体を形成し,Ga原子は(1<span style=text-decoration:overline>1</span>00)表面に優先的に吸着された。これらの結果はIn濃度が約25%のInGaNをc面及び半極性(2<span style=text-decoration:overline>2</span>01)配向上に成長させ得ることを意味する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ガリウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  取込 ,  インジウム ,  *安定性 ,  *第一原理 ,  温度依存性 ,  状態図 ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *半導体薄膜 ,  圧力効果
準シソーラス用語： *構造安定性 ,  圧力依存性

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (23件)：

• K. S. Kim, J. K. Son, S. N. Lee, Y. J. Sung, H. S. Paek, H. K. Kim, M. Y. Kim, K. H. Ha, H. Y. Ryu. O. H. Nam, T. Jang, and Y. J. Park: Appl. Phys. Lett.92(2008)101103.
• K. Okamoto, J. Kashiwagi, T. Tanaka, and M. Kubota: Appl. Phys. Lett.94(2009)071105.
• D. Qucren, A. Avramescu, G. Brüderl, A. Breidenassel, M. Schillgalies, S. Lutgen, and U. Strauβ: Appl. Phys. Lett.94(2009)081119.
• T. Miyoshi, S. Masui, T. Okada, T. Yanamoto, T. Kozaki, S. Nagahama. and T. Mukai: Appl. Phys. Express 2(2009)062201.
• Y. Enya, Y. Yoshizumi, T. Kyono, K. Akita, M. Ueno, M. Adachi, T. Sumitomo, S. Tokuyama, T. Ikegami, K. Katayama, and T. Nakamura: Appl. Phys. Express 2(2009)082101.

タイトルに関連する用語 (6件)： 成長条件 ,  安定性 ,  インジウム ,  取込み ,  過程 ,  第一原理計算