階段傾斜SiGe(100)層上に成長させたSiの光学異方性

BALDERAS-NAVARRO R. E.; LASTRAS-MARTINEZ L. F.; ARIMOTO K.; CASTRO-GARCIA R.; VILLALOBOS-AGUILAR O.; LASTRAS-MARTINEZ A.; NAKAGAWA K.; SAWANO K.; SHIRAKI Y.; USAMI N.; NAKAJIMA K.

文献

J-GLOBAL ID：201002276571670648 整理番号：10A0253069

階段傾斜SiGe(100)層上に成長させたSiの光学異方性

Optical anisotropies of Si grown on step-graded SiGe(110) layers

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Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

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巻： 96 号： 9 ページ： 091904 発行年： 2010年03月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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マクロ反射率とミクロ反射率の差分分光法を用いて,階段傾斜SiGe仮想基板上に堆積させた歪Si(110)薄膜からなる半導体構造の歪誘起光学異方性を測定した。応力緩和機構はミクロ双晶形成の導入で主に生じ,その揺らぎは成長条件に強く依存した。X線回折測定と原子間力顕微鏡画像とこの光学的診断の相関から,上部Si層と下部SiGe層の歪を空間分解能≦5μmでその場で調べられる。(翻訳著者抄録)

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