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J-GLOBAL ID：201002279904475014   整理番号：10A0487956

擬似SOC技術によるMEMSセンサとセンスアンプLSIの薄型集積化モジュール

One-chip Integrated Module of MEMS Shock Sensor and Sensing Amplifier LSI using Pseudo-SOC Technology

著者 (6件)： 飯田敦子 ((株)東芝 研究開発センター) ,  小野塚豊 ((株)東芝 研究開発センター) ,  西垣亨彦 ((株)東芝 研究開発センター) ,  山田浩 ((株)東芝 研究開発センター) ,  舟木英之 ((株)東芝 研究開発センター) ,  板谷和彦 ((株)東芝 研究開発センター)
資料名： 電気学会論文誌 E  (IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines)
巻： 130  号： 5  ページ： 157-164 (J-STAGE)  発行年： 2010年 
JST資料番号： L3098A  ISSN： 1341-8939  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 擬似SOC技術を用いて,MEMSショックセンサとセンスアンプLSIを一体化したモジュールを開発したので紹介した。両デバイスは,エポキシ樹脂にシリカフィラーを高充填率で添加した高剛性樹脂により接着され,その上に平坦化膜と再配線層からなるグローバル配線層が形成されている。MEMSショックセンサは,予め擬似SoC技術を用いてガラスキャップと接合され,キャップを介して電気的接続を確保した封止構造となっている。キャップ付きMEMSショックセンサとセンスアンプLSIは,再度,擬似SoC技術を用いて一体化され,研削加工により最終的な外形寸法7.6×3.8mm,厚さ0.2mmとした。本論文では,MEMSショックセンサの薄型モジュールについて,プロセスと,センサの動作確認を行った結果を述べた。

シソーラス用語： *超LSI ,  半導体チップ ,  MEMS ,  システムインテグレーション ,  *衝撃応力 ,  *センサ ,  *ICパッケージ ,  *センス増幅器 ,  固体回路部品 ,  応力解析
準シソーラス用語： SOC ,  SiP ,  インターポーザ ,  衝撃センサ

分類 (2件)： 集積回路一般  (NC03161C) ,  力,仕事量,圧力,摩擦の計測法・機器  (AD05050V)

引用文献 (17件)：

• CARCHON, G. Multilayer Thin-Film High Performance RF and MLSIrowave Circuits. IEEE Trans. on Components and Packaging Technologies. 2001, 24, 3, 510-519
• BECKER, K.-F. Duromer MID technology for System-in-Package Generation. IEEE Trans. on ElectronLSIs Packaging Manufacturing. 2005, 28, 4, 291-296
• SHARIFI, H. Self-Aligned Wafer-Level Integration Technology with High-Density Interconnects and Embedded Passives. IEEE Trans. on Advanced Packaging. 2007, 30, 1, 11-18
• KESER, B. The Redistributed Chip Package : A Breakthrough for Advanced Packaging. IEEE 2007 9th ECTC. 2007, 286-291
• CHENQUO, L. Progress in Wafer MEMS Packaging. J. JIEP. 2007, 10, 1, 42-51

タイトルに関連する用語 (8件)： 擬似 ,  SOC ,  MEMSセンサ ,  センスアンプ ,  LSI ,  薄型 ,  集積化 ,  モジュール