意図しない量子ドット形成を抑えることによる吊りヘビードープシリコンナノワイヤ上の量子ドットの作製

OGI Jun; OGI Jun; GHIASS Mohammad Adel; KODERA Tetsuo; TSUCHIYA Yoshishige; TSUCHIYA Yoshishige; UCHIDA Ken; UCHIDA Ken; ODA Shunri; ODA Shunri; MIZUTA Hiroshi; MIZUTA Hiroshi; MIZUTA Hiroshi

文献

J-GLOBAL ID：201002286458785558 整理番号：10A0490915

意図しない量子ドット形成を抑えることによる吊りヘビードープシリコンナノワイヤ上の量子ドットの作製

Suspended Quantum Dot Fabrication on a Heavily Doped Silicon Nanowire by Suppressing Unintentional Quantum Dot Formation

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著者 (13件)： , , , , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 49 号： 4,Issue 1 ページ： 044001.1-044001.5 発行年： 2010年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

吊りナノワイヤに悪影響を及ぼす意図しない量子ドット形成の問題を解くことによって,吊りナノワイヤに量子ドットを埋め込むことを狙いとした。この悪化の原因は,ランダムドーパントが引き起こすポテンシャルゆらぎあるいは粗い表面による比較的高いポテンシャル障壁,及び,吊りナノワイヤの表面トラップ電荷である。より広いくびれパターンとともに,ドーピング濃度を高くすることによって,このポテンシャル障壁を下げることに成功した。吊りナノワイヤの量子ドット形成を制御することが可能で,ヘビードープ吊りナノワイヤのくびれを倍にパターニングすることによって,単一量子ドットを明確に定めることに成功した。(翻訳著者抄録)

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トランジスタ , 原子・分子のクラスタ

引用文献 (28件)：

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