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J-GLOBAL ID：201002288696142331   整理番号：10A1138539

ワイドギャップp型半導体LaCuOSeの正孔ドーピングおよび関連オプトエレクトロニクス特性の起源

Origins of Hole Doping and Relevant Optoelectronic Properties of Wide Gap p-Type Semiconductor, LaCuOSe

著者 (9件)： HIRAMATSU Hidenori (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  KAMIYA Toshio (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  TOHEI Tetsuya (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  IKENAGA Eiji (Japan Synchrotron Radiation Res. Inst., Hyogo, JPN) ,  MIZOGUCHI Teruyasu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  IKUHARA Yuichi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  IKUHARA Yuichi (Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN) ,  KOBAYASHI Keisuke (National Inst. for Materials Sci., Hyogo, JPN) ,  HOSONO Hideo (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Journal of the American Chemical Society  (Journal of the American Chemical Society)
巻： 132  号： 42  ページ： 15060-15067  発行年： 2010年10月27日 
JST資料番号： C0254A  ISSN： 0002-7863  CODEN： JACSAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化マグネシウム(001)単結晶面を基板として非ドープおよびMgドープLaCuOSe薄膜を固相反応によりエピタキシャル成長させた。La_0.8Mg_0.2CuOSe薄膜をマルチターゲットレーザアブレーション蒸着により形成した。キャリア移動度,光透過スペクトル,X線光電子スペクトル,透過型電子顕微鏡,透過型走査電子顕微鏡,SIMSによりキャラクタリゼーションを行った。密度汎関数法計算により電子構造を考察した。ワイドギャップ半導体(2.8eV)で,室温で安定な励起子を生成し,正孔移動度が8cm²・Vsと高い。1.7×10²¹/cm³の高濃度Mgドーピングが可能であり,銅およびセレンサイトの非当量性誘起による機構が考えられる。銅およびセレン空孔を含む平面状欠陥が生成しやすい。低温で正孔濃度が増大する。

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *P型半導体 ,  *ランタン化合物 ,  *銅化合物 ,  *セレニド ,  *酸化物 ,  二成分系 ,  酸化マグネシウム ,  結晶面 ,  薄膜 ,  *エピタクシー ,  レーザアブレーション ,  蒸着膜 ,  キャリア移動度 ,  スペクトル ,  X線光電子スペクトル ,  透過型電子顕微鏡 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  *二次イオン質量分析 ,  密度汎関数法 ,  電子構造 ,  励起子 ,  欠陥 ,  ドーピング ,  *ワイドギャップ半導体 ,  透過スペクトル
準シソーラス用語： *SIMS【質量分析】 ,  *エピタキシャル成長

分類 (4件)： 塩  (CD01050V) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  分子の電子構造  (BH05010Q) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： ギャップ ,  P型半導体 ,  正孔ドーピング ,  オプトエレクトロニクス ,  起源