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J-GLOBAL ID:201002294658195928   整理番号:10A0133919

平行平板プラズマ増強化学蒸着により堆積した結晶珪素太陽電池用の高品質酸化アルミニウム不動態化層

High Quality Aluminum Oxide Passivation Layer for Crystalline Silicon Solar Cells Deposited by Parallel-Plate Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
著者 (4件):
資料名:
巻:号:ページ: 012301.1-012301.3  発行年: 2010年01月25日 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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結晶珪素太陽電池の高品質背面不動態化層として水素化した酸化アルミニウム(a-Al1-xOx:H)を調べた。a-Al1-xOx:H膜はトリメチルアルミニウム(TMA),二酸化炭素(CO2),水素(H2)の混合物を用いて約200°Cの低温でプラズマ増強化学蒸着(PECVD)により堆積した。堆積時のTMAに対するCO2の比と膜堆積後の焼なましは高品質の不動態化の重要な因子であった。PECVDで堆積した厚み28nmのa-Al1-xOx:H膜は約10cm/sの低い表面再構成速度を示した。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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太陽電池 
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