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J-GLOBAL ID：201002297420634981   整理番号：10A0777010

High-k/III-V界面の組成・構造とMIS特性との関係

Relationships among Interface Composition, Bonding Structures and MIS Properties at High-k/III-V Interfaces

著者 (14件)： 安田哲二 (産業技術総合研) ,  宮田典幸 (産業技術総合研) ,  卜部友二 (産業技術総合研) ,  石井裕之 (産業技術総合研) ,  板谷太郎 (産業技術総合研) ,  前田辰郎 (産業技術総合研) ,  山田永 (住友化学) ,  福原昇 (住友化学) ,  秦雅彦 (住友化学) ,  大竹晃浩 (物質・材料研究機構) ,  星井拓也 (東大) ,  横山正史 (東大) ,  竹中充 (東大) ,  高木信一 (東大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 90(SDM2010 33-48)  ページ： 49-54  発行年： 2010年06月15日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ゲート長が10nm以下となる技術世代において駆動力向上と低消費電力化を可能にする技術としてIII-V族半導体をチャネルとしたnMISFETが関心を集めている。Inを含むIII-Vチャネル材料の上にALDによりAl₂O₃絶縁膜を形成した界面は,nMIS動作に必要なフェルミレベル変調を比較的容易に得ることができる。本報告では,界面準位の発生とそのエネルギーギャップ内の分布に影響を与える要因を整理した上で,界面におけるアニオンとカチオンの組成・結合状態とMIS特性との関係について議論する。(著者抄録)

シソーラス用語： 誘電率 ,  *MISFET ,  *表面準位 ,  *化学蒸着 ,  単原子層 ,  消費電力 ,  *キャリア移動度 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  リン化インジウム ,  *酸化アルミニウム ,  エネルギーギャップ ,  *アニオン ,  *カチオン
準シソーラス用語： ALD

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (23件)：

• TAKAGI, S. IEEE Trans. Electron Device. 2008, 55, 21-38
• YASUDA, T. Relationships between Interface Structures and Electrical Properties in the High-k/III-V System. High-k Dielectrics on Semiconductors with High Carrier Mobility. 2010
• ISHII, H. High Electron Mobility Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistors Fabricated on (111)-Oriented InGaAs Channels. Appl. Phys. Express. 2009, 2, "121101-1"-"121101-3"
• YOKOYAMA, M. III-V-semiconductor-on-insulator n-channel metal-insulator-semiconductor field-effect transistors with buried Al_2O_3 layers and sulfur passivation : Reduction in carrier scattering at the bottom interface. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 14, "142106-1"-"142106-3"
• XUAN, Y. High-performance inversion-type enhancement-mode InGaAs MOSFET with maximum drain current exceeding 1A/mm. IEEE Electron Device Lett. 2008, 29, 294-296

タイトルに関連する用語 (3件)： 界面 ,  組成 ,  MIS