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J-GLOBAL ID：201002298687065397   整理番号：10A0772360

SiナノドットフローティングゲートMOSコンデンサにおける集団的電子移動に関する研究

Study on Collective Electron Motion in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Capacitor

著者 (10件)： MURAGUCHI Masakazu (Tohoku Univ.) ,  SAKURAI Yoko (Univ. Tsukuba) ,  TAKADA Yukihiro (Univ. Tsukuba) ,  NOMURA Shintaro (Univ. Tsukuba) ,  SHIRAISHI Kenji (Univ. Tsukuba) ,  IKEDA Mitsuhisa (Hiroshima Univ.) ,  MAKIHARA Katsunori (Hiroshima Univ.) ,  MIYAZAKI Seiichi (Hiroshima Univ.) ,  SHIGETA Yasuteru (Univ. Hyogo) ,  ENDOH Tetsuo (Tohoku Univ.)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 110(SDM2010 49-123)  ページ： 319-324  発行年： 2010年06月23日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電極からナノ構造に向けての電子注入の効率性および安定性は,将来のナノ電子デバイスにとって最も重要な課題の一つである。ナノ構造に対する電子注入プロセスを明らかにするために,Siナノドットフローティングゲートメモリの過渡的電流特性について調べた。Siナノドットフローティングゲートメモリの計測に基づいて,二次元電子ガスおよびナノドット間の電子の集団的移動について報告した。本研究では,従来のトンネルモデルを拡張することにより,集団的トンネルモデルを提案し,それにより,電子の集団的移動をサポートし,将来のナノ電子デバイスの設計にとって,この提案は有用である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOS構造 ,  *薄膜コンデンサ ,  電子移動 ,  フローティングゲート ,  固体素子 ,  電子回路 ,  *ナノ構造 ,  記憶装置 ,  電子ガス
準シソーラス用語： *MOSコンデンサ ,  *ナノドット ,  ナノ電子デバイス

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  LCR部品  (NA05030D) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  ナノドット ,  フローティングゲート ,  MOSコンデンサ ,  集団 ,  電子移動 ,  研究