特許
J-GLOBAL ID：201003000244763215
SEMを用いた欠陥観察方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
井上 学
, 戸田 裕二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-003039
公開番号（公開出願番号）：特開2010-161247
出願日： 2009年01月09日
公開日（公表日）： 2010年07月22日
要約：
【課題】 走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて試料上の欠陥を観察する装置において、高倍率の欠陥画像と比較するための高倍率の参照画像を、欠陥画像を取得した後にステージを移動させることなく、かつ画像の解像度を低下させることなく高スループットで取得できるようにする。【解決手段】欠陥部位を低倍率で撮像した位置からステージ移動なしに低倍率の視野内で撮像できる高倍参照画像の撮像領域を探索し,探索できた場合には該領域を撮像して高倍参照画像を得、探索できなかった場合には欠陥部位の隣接チップから高倍参照画像を取得する方式に切り替えるようにした。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
SEMを用いた欠陥観察装置であって、
他の検査装置で検査して検出した試料上の欠陥の位置情報を取得する欠陥情報取得手段と、
前記試料の表面に収束させた電子線を照射して走査し前記試料の電子線画像を取得する走査型電子顕微鏡(SEM)と、
該SEMで取得した画像を処理する画像処理手段と、
前記走査型電子顕微鏡(SEM)と前記画像処理手段とを制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記欠陥情報取得手段で取得した前記試料上の欠陥の位置情報を用いて走査型電子顕微鏡(SEM)を制御して前記他の検査装置で検査して検出した試料上の欠陥を含む領域を低倍率で撮像し、
前記画像処理手段は、前記走査型電子顕微鏡(SEM)により低倍率で撮像して得た前記試料上の欠陥を含む低倍率の画像を低倍率の参照画像と比較して前記欠陥を抽出して該欠陥の位置情報を取得し、
前記制御手段は、更に該取得した欠陥の位置情報を用いて走査型電子顕微鏡(SEM)を制御して前記試料上の欠陥を含む領域を高倍率で撮像して前記欠陥を含む領域の高倍率の画像を得、
前記画像処理手段は、更に前記欠陥を含む領域の高倍率の画像と比較する高倍率の参照画像を、前記低倍率で撮像した前記欠陥を含む領域の画像から前記高倍率の参照画像を撮像する領域を探索して該探索に成功した場合には該探索した領域を前記走査型電子顕微鏡(SEM)で高倍率で撮像することにより得、前記探索に失敗した場合には前記試料上の参照部へ前記SEMの視野を移動させて前記参照部を高倍率で撮像することにより得、該得た高倍率の参照画像を前記欠陥を含む領域の高倍率の画像と比較することにより欠陥の高倍率の画像を取得することを特徴とするSEMを用いた欠陥観察装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (16件)：
2G001AA03
, 2G001BA07
, 2G001CA03
, 2G001GA06
, 2G001HA09
, 2G001HA13
, 2G001JA11
, 2G001KA03
, 2G001LA11
, 2G001MA05
, 4M106AA01
, 4M106BA02
, 4M106CA38
, 4M106DB18
, 4M106DJ18
, 4M106DJ20
出願人引用 (7件)
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欠陥分類方法及びその装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-152663
出願人：株式会社日立製作所
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特許第3893825号公報
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特開2003- 98114号公報
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審査官引用 (3件)
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