特許
J-GLOBAL ID：200903040222766947
SEM式レビュー装置を用いた欠陥レビュー方法及びSEM式欠陥レビュー装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-132188
公開番号（公開出願番号）：特開2007-305760
出願日： 2006年05月11日
公開日（公表日）： 2007年11月22日
要約：
【課題】半導体ウェーハ等の試料上に存在する欠陥の画像を自動収集するSEM式欠陥レビュー装置において、高いスループットを提供する。【解決手段】SEM式レビュー装置を用いた欠陥レビュー方法において、ウェーハ単位若しくはチップ単位での少なくともセル比較による欠陥検出成功率又は欠陥検出成功マップを準備する準備過程と、該準備された前記ウェーハ単位若しくは前記チップ単位での少なくともセル比較による欠陥検出成功率又は欠陥検出成功マップに基づいてセル比較方式とダイ比較方式との何れにするかのレビューシーケンスを選択する選択過程と、該選択過程でセル比較方式を選択した場合には、セル比較をしてレビュー欠陥の検出可否判定を行う検出可否判定過程を有するセル比較過程と、該検出可否判定過程での判定の結果レビュー欠陥が検出されない場合、並びに前記選択過程でダイ比較を選択した場合には、ダイ比較をするダイ比較過程とを有すること特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
検査装置から得られるウェーハ上のレビュー欠陥の位置座標に基づき、前記ウェーハを載置したステージを移動させて電子線光学系によりレビュー欠陥を低倍率で撮像して低倍率の電子線欠陥画像を取得するSEM式レビュー装置を用いた欠陥レビュー方法において、
前記ウェーハ単位若しくは該ウェーハ上に形成されたチップ単位での少なくともセル比較による欠陥検出成功率又は欠陥検出成功マップに基づいてセル比較方式とダイ比較方式との何れにするかのレビューシーケンスを選択する選択過程と、
該選択過程でセル比較方式を選択した場合には、前記レビュー欠陥から取得された低倍率の電子線欠陥画像を基にセル比較をしてレビュー欠陥の検出可否判定を行う検出可否判定過程と、該検出可否判定過程での判定の結果レビュー欠陥が検出された場合には、検出されたレビュー欠陥の欠陥レビュー装置の座標系での位置座標を算出する第1の算出過程とを有するセル比較過程と、
前記検出可否判定過程での判定の結果レビュー欠陥が検出されない場合、並びに前記選択過程でダイ比較を選択した場合には、ステージを移動して前記電子線光学系により、ダイ比較するための正常な部位の低倍率の電子線参照画像を取得する取得過程と、該取得された低倍率の電子線参照画像と前記レビュー欠陥から取得された低倍率の電子線欠陥画像とをダイ比較してレビュー欠陥を検出すると共に検出されたレビュー欠陥の欠陥レビュー装置の座標系での位置座標を算出する第2の算出過程とを有するダイ比較過程と、
前記第1及び第2の算出過程で算出されたレビュー欠陥についての欠陥レビュー装置の座標系での位置座標を基に、前記電子線光学系によりレビュー欠陥を高倍率で撮像して高倍率の電子線欠陥画像を取得する欠陥画像取得過程とを有することを特徴とするSEM式レビュー装置を用いた欠陥レビュー方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (23件)：
2G001AA03
, 2G001BA07
, 2G001BA15
, 2G001BA30
, 2G001CA03
, 2G001DA06
, 2G001FA01
, 2G001FA06
, 2G001GA04
, 2G001HA09
, 2G001HA13
, 2G001JA07
, 2G001KA03
, 2G001LA11
, 2G001MA05
, 2G001PA07
, 2G001PA11
, 4M106AA01
, 4M106BA02
, 4M106CA39
, 4M106DB05
, 4M106DB18
, 4M106DJ18
