特許
J-GLOBAL ID：201003000332586510

露光方法、半導体装置の製造方法、及びマスクデータの作成方法

発明者：
永 井 聡

永 井 聡 について

, 
福 原 和 也

福 原 和 也 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康 ,  重野 隆之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-205279
公開番号（公開出願番号）：特開2010-040968
出願日： 2008年08月08日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：
【課題】半導体デバイス生産の歩留まりを向上させる。【解決手段】露光実行条件に基づいて、第1のマスクパターン及び第2のマスクパターンが形成されたマスクに光を照射し、投影レンズを介して前記第1のマスクパターン及び第2のマスクパターンの像を下層膜材料及びフォトレジストが順に積層されたウェーハに投影する露光方法であって、前記露光実行条件は、所定の露光条件で露光を行う場合に、前記フォトレジスト及び前記下層膜材料の膜厚及び光学特性を用いて予測された、前記第1のマスクパターンの像についてベストフォーカスとなる前記ウェーハの位置と、前記第2のマスクパターンの像についてベストフォーカスとなる前記ウェーハの位置との差が、所定の範囲内の値となるように前記所定の露光条件が変更された条件である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
露光装置を用いて第1及び第2のマスクパターンを含むマスクパターンの像をウェーハ上に形成する半導体装置の製造方法であって、 前記第1のマスクパターンの像についてベストフォーカスとなる前記ウェーハの位置と、前記第2のマスクパターンの像についてベストフォーカスとなる前記ウェーハの位置との差が所定の範囲内の値となるように投影レンズの収差値を調整した前記露光装置を用いて、前記マスクパターンの像を前記ウェーハに形成する工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 21/027
FI (2件)：
H01L21/30 516Z ,  H01L21/30 516D
Fターム (3件)：
5F046DA02 ,  5F046DA13 ,  5F046DA14
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (6件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-113597   出願人：ソニー株式会社
  • 露光方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-166859   出願人：松下電器産業株式会社
  • 多層反射防止膜
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-254055   出願人：ソニー株式会社
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