半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 鈴木三義 , 西和哉 , 村山靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-212915
公開番号（公開出願番号）：特開2010-050267
出願日： 2008年08月21日
公開日（公表日）： 2010年03月04日
要約：

【課題】表面平坦性に優れ、半導体基体との界面における組成の均一性に優れ、ショットキー接合層との十分に高い密着性が得られるオーミック接合層を備える半導体装置を提供する。【解決手段】n型のSiC半導体基体1と、SiC半導体基体1の一方の主表面1bとオーミック接触するカソード電極5と、SiC半導体基体1の他方の主表面1aに形成されたp型SiCからなる第一半導体領域6aと、他方の主表面1aに形成されたn型SiCからなる第二半導体領域6bと、第一半導体領域1aにオーミック接触するオーミック接合層7と、第二半導体領域6bにショットキー接触するショットキー接合層8とを備え、オーミック接合層7の二乗平均粗さが、20nm以下である半導体装置とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

n型のSiC半導体基体と、該SiC半導体基体の一方の主表面とオーミック接触するカソード電極と、前記SiC半導体基体の他方の主表面に形成されたp型SiCからなる第一半導体領域と、前記他方の主表面に形成されたn型SiCからなる第二半導体領域と、前記第一半導体領域にオーミック接触するオーミック接合層と、前記第二半導体領域にショットキー接触するショットキー接合層とを備え、前記オーミック接合層の二乗平均粗さが、20nm以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 29/861

FI (5件)：

H01L29/48 F , H01L29/91 F , H01L29/48 P , H01L29/48 D , H01L29/91 K

Fターム (24件)：

4M104AA03 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB38 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD34 , 4M104DD35 , 4M104DD79 , 4M104DD80 , 4M104DD91 , 4M104FF01 , 4M104FF32 , 4M104FF35 , 4M104GG03 , 4M104HH08 , 4M104HH12 , 4M104HH15

引用特許：

出願人引用 (2件)

炭化珪素からなる半導体装置とその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-525771 出願人：サイスドエレクトロニクスデヴェロプメントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングウントコンパニコマンディートゲゼルシャフト
炭化珪素半導体のオーミック電極構造及び、炭化珪素半導体のオーミック電極製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-318728 出願人：日産自動車株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所

審査官引用 (2件)

半導体整流素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-211576 出願人：株式会社日立製作所
炭化けい素ショットキーダイオードおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-055589 出願人：新電元工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

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