特許
J-GLOBAL ID：201003003301259137

ナノインプリントモールド用基材の処理方法およびそれを用いたナノインプリントモールドの製造方法

発明者：
伊藤 公夫

伊藤 公夫 について

, 
吉田 幸司

吉田 幸司 について

, 
千葉 豪

千葉 豪 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (2件)： 米田 潤三 ,  皿田 秀夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-117525
公開番号（公開出願番号）：特開2010-267777
出願日： 2009年05月14日
公開日（公表日）： 2010年11月25日
要約：
【課題】電子線でレジストにパターンを描画する際に、基材の表面位置の検出を精度良く行なうためのナノインプリントモールド用基材の処理方法と、高精度の凹凸パターンを備えたナノインプリントモールドを製造するための製造方法を提供する。【解決手段】厚さが4mm以下の透明な基材の裏面側あるいは内部に、基材の表面側から入射した光が基材の裏面で反射して表面側に出射するのを防止する反射防止部を形成し、基材の表面上にレジスト膜を形成して電子線描画装置内のステージ上に基材裏面がステージと対向するように配置し、基材に対して高さ検出光を照射し基材表面で反射された反射光を検出して基材の高さを検出し、検出した基材の表面位置に適するように電子線のフォーカス位置を制御しながらレジスト膜に対して電子線を照射して所望のパターン潜像を形成し、このレジスト膜を現像して得たレジストパターンをマスクとして基材に凹凸パターンを形成する。【選択図】 図9
請求項（抜粋）：
厚さが4mm以下の透明なナノインプリントモールド用基材の処理方法において、 基材の裏面側の少なくとも一部の領域、あるいは内部の少なくとも一部の領域に、前記基材の表面側から基材に入射した検出光が前記基材の裏面で反射して表面側に出射するのを防止する反射防止部を設けることを特徴としたナノインプリントモールド用基材の処理方法。
IPC (5件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 ,  B29C 59/02 ,  B29C 33/38 ,  B81C 99/00
FI (7件)：
H01L21/30 502D ,  G03F7/20 504 ,  B29C59/02 B ,  B29C33/38 ,  H01L21/30 541P ,  H01L21/30 541F ,  B81C5/00
Fターム (26件)：
2H097AA03 ,  2H097CA16 ,  2H097HA00 ,  2H097KA03 ,  2H097KA20 ,  2H097KA40 ,  3C081CA37 ,  4F202AF01 ,  4F202CA19 ,  4F202CD03 ,  4F202CD24 ,  4F209AF01 ,  4F209AG05 ,  4F209AH33 ,  4F209AH73 ,  4F209AJ08 ,  4F209AJ09 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PN06 ,  4F209PN09 ,  4F209PQ11 ,  5F046AA28 ,  5F056CB35 ,  5F056DA08 ,  5F056DA30
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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