特許
J-GLOBAL ID:201003006848491823
電子放出体および電子放出体を備えた電界放射装置
発明者:
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出願人/特許権者:
,
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代理人 (2件):
橋本 剛
, 鵜澤 英久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-003713
公開番号(公開出願番号):特開2010-056062
出願日: 2009年01月09日
公開日(公表日): 2010年03月11日
要約:
【課題】炭素膜構造を有する電界放射電子の放射体において、局部的な電界集中を抑制し、熱劣化に伴う電流劣化や放電現象を起こらないようにする。また、電子の放出が分散することを抑制する。さらに、放射体を適用した電界放射装置において所望の機能を発揮し、より実用的な製品を提供する。【解決手段】電子放出体は、プラズマCVD法により基板7に形成された炭素膜構造10の外周側に、ガード電極13を備える。このガード電極13は、炭素膜構造10の成膜方向に凸の曲面部(成膜方向とは反対側に湾曲した曲面部)13aを有し、曲面部13aにおいてガード電極13外周側の曲率半径R1が炭素膜構造側の曲率半径R2以上のものを適用する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板表面に炭素膜構造が形成された電子放出体であって、
前記炭素膜構造は、グラフェンシートが多層に重なって内部中空となり、かつ、先端に向けて半径が小さくなる尖頭形状が複数個分散して形成され、
前記炭素膜構造の外周側に、その炭素膜構造の成膜方向に凸の曲面部を有し炭素膜構造および/又は基板と同電位のガード電極を設けたことを特徴とする電子放出体。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (9件):
5C135AA15
, 5C135AB08
, 5C135AC03
, 5C135EE13
, 5C135EE15
, 5C135HH05
, 5C135HH16
, 5C135HH17
, 5C135HH20
引用特許:
出願人引用 (2件)
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炭素膜および炭素膜構造
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-341254
出願人:ダイヤライトジャパン株式会社, 平木昭夫, 羽場方紀
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直流プラズマ成膜装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-341253
出願人:ダイヤライトジャパン株式会社, 平木昭夫, 羽場方紀
審査官引用 (5件)
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