特許
J-GLOBAL ID:200903020867699941
電子放出素子およびその製造方法、ならびにこれを用いた画像表示装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
中島 司朗
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-217317
公開番号(公開出願番号):特開2002-100282
出願日: 2001年07月17日
公開日(公表日): 2002年04月05日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、放出される電子の集束性を従来に比べて向上することができる電子放出素子を提供することを目的とする。【解決手段】 背面ガラス基板21上にカソード電極23と絶縁層24と電子引き出し電極25とが順に積層され、引き出し電極25側からカソード電極23まで到達する孔の底面に、カソード電極23と接触する電子放出層27を具設し、電子放出層27とカソード電極23との接触領域が、孔の底面における中心部を除く、周辺領域に限定されるようにした。これにより、電子放出層27は、その側面に位置するカソード電極23からのみ電子が供給されるので、主に電子放出層27表面の端部から電子が放出されるようになり、電子の集束性が向上する。
請求項(抜粋):
基板上にカソード電極と絶縁層と電子引き出し電極とが順に積層され、前記引き出し電極側からカソード電極まで到達する孔の底面に、前記カソード電極と接触する電子放出層が具設された電子放出素子であって、前記電子放出層は、その表面が前記カソード電極と絶縁層との界面よりも基板側に位置するように具設されており、前記電子放出層と前記カソード電極との接触領域は、前記孔の底面における中心部を除く、周辺領域に限定されていることを特徴とする電子放出素子。
IPC (3件):
H01J 1/304
, H01J 9/02
, H01J 31/12
FI (3件):
H01J 9/02 B
, H01J 31/12 C
, H01J 1/30 F
Fターム (11件):
5C036BB10
, 5C036EE14
, 5C036EF01
, 5C036EF06
, 5C036EF09
, 5C036EG12
, 5C036EH04
, 5C036EH06
, 5C036EH08
, 5C036EH23
, 5C036EH24
引用特許:
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