特許

J-GLOBAL ID：201003007049150530

酸化亜鉛系半導体の成長方法及び半導体発光素子の製造方法

発明者： 堀尾 直史 ,  牧島 政幸
出願人/特許権者： スタンレー電気株式会社
代理人 (3件)： 藤村 元彦 ,  高野 信司 ,  永岡 重幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-236923
公開番号（公開出願番号）：特開2010-073750
出願日： 2008年09月16日
公開日（公表日）： 2010年04月02日
要約：

【目的】 基板上に結晶欠陥の少ない、単結晶性及び平坦性に優れた酸化亜鉛系半導体結晶の成長方法を提供する。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れ、量産性に優れた高性能な半導体発光素子を提供する。【解決手段】 MOCVD法において、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、(a)低成長温度かつ1kPa〜30kPaの範囲内の低成長圧力で結晶成長を行って第1の単結晶層を形成するステップと、(b)高成長温度かつ上記低成長圧力よりも高い圧力で結晶成長を行って上記第1の単結晶層上に第2の単結晶層を形成するステップと、を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

MOCVD法により基板上に酸化亜鉛系半導体層を結晶成長する方法であって、 酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、 (a)低成長温度かつ1kPa〜30kPaの範囲内の低成長圧力で結晶成長を行って第1の単結晶層を形成するステップと、 (b)高成長温度かつ前記低成長圧力よりも高い圧力で結晶成長を行って前記第1の単結晶層上に第2の単結晶層を形成するステップと、 を有することを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/365 ,  C23C 16/40 ,  H01L 33/28

FI (3件)：

H01L21/365 ,  C23C16/40 ,  H01L33/00 D

Fターム (54件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA01 ,  4K030BA42 ,  4K030BA47 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA12 ,  4K030LA13 ,  5F041AA40 ,  5F041AA42 ,  5F041CA04 ,  5F041CA41 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AA08 ,  5F045AA12 ,  5F045AB22 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB02 ,  5F045BB03 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F045DA55 ,  5F045DA63 ,  5F045EF05

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特許第3424814号公報
  
• 化合物半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-154904   出願人：信越半導体株式会社
• 特許第3859148号公報
  

審査官引用 (4件)

• ZnO薄膜を有する材料及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-267114   出願人：理化学研究所
• 化合物半導体の製造装置および製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-115466   出願人：スタンレー電気株式会社
• ZnO膜の成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-114160   出願人：エア・ウォーター株式会社, スタンレー電気株式会社
• ZnO系化合物半導体、それを用いた発光素子及びそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-075081   出願人：スタンレー電気株式会社