特許
J-GLOBAL ID:200903005721204216
ゾル-ゲル及び光硬化反応により光硬化透明高分子内に金属酸化物ナノ粒子を含むゲート絶縁層を用いる有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
津国 肇
, 束田 幸四郎
, 齋藤 房幸
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-015038
公開番号(公開出願番号):特開2009-182329
出願日: 2009年01月27日
公開日(公表日): 2009年08月13日
要約:
【課題】ゾル-ゲル及び光硬化反応により光硬化透明高分子内に金属酸化物ナノ粒子を形成及び結合させて、誘電率の変化が容易な透明無機/高分子複合層をゲート絶縁層として用いる有機薄膜トランジスタ及びその製造方法の提供。【解決手段】有機薄膜トランジスタは、ゲート絶縁体であって既存ゲート絶縁体に比べ、非常に高くて調節が容易な誘電率を有する金属酸化物ナノ粒子を含む光硬化透明無機/高分子複合層30を用い、駆動電圧は下げながらon/off電流比を増加させることができ、高い誘電率による電気容量の低下なく、ゲート絶縁体の厚さを厚くすることができ、漏洩電流を最小化することによって有機薄膜トランジスタとしての優れた特性を発揮する。また、有機薄膜トランジスタは光硬化透明高分子70の特性をそのまま維持するので、光硬化及び微細パターン形成ができ、高い工程性を示す。【選択図】図3
請求項(抜粋):
基板、この基板上に形成されるゲート電極層、前記基板及びゲート電極層上に形成される金属酸化物ナノ粒子を含む光硬化透明無機/高分子複合層、前記複合層上に形成される有機活性層、及び前記有機活性層上に形成されるソース及びドレイン電極層を備え、
前記金属酸化物ナノ粒子を含む光硬化透明無機/高分子複合層が、金属酸化物前駆体と光硬化透明高分子とを混合して、前記基板及びゲート電極層上にコーティングして有機膜を形成し、形成された有機膜の一部がゾル-ゲル及び光硬化反応を通じてナノ無機粒子に転換されて誘電性を有するようになることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
IPC (10件):
H01L 29/786
, C01G 1/00
, C01G 19/00
, C01G 19/02
, C01G 30/00
, C01G 39/00
, H01L 21/336
, H01L 51/05
, H01L 51/30
, H01L 21/312
FI (12件):
H01L29/78 617T
, C01G1/00 A
, C01G19/00 A
, C01G19/02
, C01G30/00
, C01G39/00
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 626C
, H01L29/78 617V
, H01L29/28 100A
, H01L29/28 280
, H01L21/312 D
Fターム (30件):
4G048AA03
, 4G048AB02
, 4G048AC08
, 4G048AD02
, 4G048AE08
, 5F058AC07
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AH01
, 5F110AA05
, 5F110AA06
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE07
, 5F110EE14
, 5F110EE43
, 5F110FF01
, 5F110FF06
, 5F110FF27
, 5F110GG05
, 5F110GG25
, 5F110GG42
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK32
引用特許:
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