特許
J-GLOBAL ID：201003007733107120
炭化珪素単結晶成長用種結晶およびその製造方法並びに炭化珪素単結晶およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-176255
公開番号（公開出願番号）：特開2010-013330
出願日： 2008年07月04日
公開日（公表日）： 2010年01月21日
要約：
【課題】種結晶と黒鉛との界面から発生する結晶欠陥を抑制し、再現性良く、結晶欠陥密度の低い高品質な炭化珪素単結晶を製造することができる炭化珪素単結晶成長用種結晶を提供する。【解決手段】炭化珪素原料粉末が充填された黒鉛製るつぼの蓋に取り付けられる炭化珪素単結晶成長用種結晶13であって、一面が昇華法により炭化珪素単結晶を成長させる成長面4aとされた炭化珪素からなる種結晶4と、前記種結晶4の前記成長面の反対側の面4bに形成されたカーボン膜12とからなり、前記カーボン膜12の膜密度が1.2〜3.3g/cm3である炭化珪素単結晶成長用種結晶13を用いる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
炭化珪素原料粉末が充填された黒鉛製るつぼの蓋に取り付けられる炭化珪素単結晶成長用種結晶であって、
一面が昇華法により炭化珪素単結晶を成長させる成長面とされた炭化珪素からなる種結晶と、前記種結晶の前記成長面の反対側の面に形成されたカーボン膜とからなり、前記カーボン膜の膜密度が1.2〜3.3g/cm3であることを特徴とする炭化珪素単結晶成長用種結晶。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BE08
, 4G077DA02
, 4G077DA18
, 4G077ED01
, 4G077HA12
, 4G077SA01
, 4G077SA04
, 4G077SA12
出願人引用 (2件)
審査官引用 (5件)
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