アモルファスカーボンナイトライド膜の形成方法、アモルファスカーボンナイトライド膜、多層レジスト膜、半導体装置の製造方法および制御プログラムが記憶された記憶媒体

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：亀谷美明 , 金本哲男 , 萩原康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-219359
公開番号（公開出願番号）：特開2010-053397
出願日： 2008年08月28日
公開日（公表日）： 2010年03月11日
要約：

【課題】エッチング耐性に優れ、かつレジスト膜の露光時、反射率の低下が可能なアモルファスカーボン膜を形成する。【解決手段】半導体装置の製造方法では、ウエハ上にエッチング対象膜を形成する工程、処理容器内にCOガス及びN2ガスを含む処理ガスを供給する工程、供給されたCOガス及びN2ガスからアモルファスカーボンナイトライド膜330を成膜する工程、膜330上に酸化シリコン膜335を形成する工程、膜335上にArFレジスト膜345を形成する工程、ArFレジスト膜345をパターニングする工程、ArFレジスト膜345をマスクとして酸化シリコン膜335をエッチングする工程、酸化シリコン膜335をマスクとしてアモルファスカーボンナイトライド膜330をエッチングする工程、アモルファスカーボンナイトライド膜330をマスクとしてエッチング対象膜をエッチングする工程を有する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

処理容器の内部に被処理体を配置する工程と、前記処理容器の内部に一酸化炭素ガス及び窒素ガスを含む処理ガスを供給する工程と、前記処理容器の内部にて一酸化炭素ガス及び窒素ガスを分解して被処理体上にアモルファスカーボンナイトライド膜を成膜する工程と、を有するアモルファスカーボンナイトライド膜の形成方法。

IPC (6件)：

C23C 16/34 , H01L 21/027 , H01L 21/318 , C23C 16/509 , G03F 7/11 , G03F 7/40

FI (8件)：

C23C16/34 , H01L21/30 574 , H01L21/318 B , H01L21/318 M , C23C16/509 , G03F7/11 503 , H01L21/30 573 , G03F7/40 521

Fターム (39件)：

2H025AA09 , 2H025AB14 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025DA34 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096CA06 , 2H096EA05 , 2H096HA23 , 2H096JA04 , 4K030AA14 , 4K030AA16 , 4K030AA18 , 4K030BA27 , 4K030BA38 , 4K030CA12 , 4K030FA03 , 4K030JA06 , 4K030KA23 , 4K030LA15 , 5F046PA04 , 5F046PA11 , 5F058AA10 , 5F058AC08 , 5F058AD08 , 5F058AD11 , 5F058AE05 , 5F058AG09 , 5F058AH10 , 5F058BA20 , 5F058BC08 , 5F058BC20 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BH12 , 5F058BH17 , 5F058BJ10

引用特許：

出願人引用 (1件)

アモルファスカーボン層の堆積方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-042049 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

審査官引用 (6件)

密着層を備える積層体
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-229914 出願人：株式会社豊田中央研究所
非晶質窒化炭素膜及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-005299 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
窒化炭素組成物、当該窒化炭素組成物を有する薄膜トランジスタ並びに当該薄膜トランジスタを有する表示装置、及びそれらの作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-048985 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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