窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体素子の積層構造及び窒化ガリウム系化合物半導体発光素子、並びにランプ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 鈴木三義 , 西和哉 , 村山靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-263987
公開番号（公開出願番号）：特開2010-093186
出願日： 2008年10月10日
公開日（公表日）： 2010年04月22日
要約：

【課題】半導体層の形成工程においてバッファ層が消失すること無く、且つ、簡便な方法で基板を化合物半導体層から剥離させることができ、発光特性に優れた発光素子が歩留まり良く高効率で得られる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体素子の積層構造及び窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板21上に、ZnOバッファ層22及びAlNバッファ層23をこの順で積層するバッファ層形成工程と、AlNバッファ層23上に、窒化ガリウム系化合物からなる半導体層を形成する半導体層形成工程と、ZnOバッファ層22を除去することにより、基板21を剥離する除去工程とを備える。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板上に、ZnOバッファ層及びAlNバッファ層をこの順で積層するバッファ層形成工程と、前記AlNバッファ層上に、窒化ガリウム系化合物からなる半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記ZnOバッファ層を除去することにより、前記基板を剥離する除去工程と、を備えることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/32 , H01L 21/203

FI (3件)：

H01L33/00 C , H01L21/203 M , H01L21/203 S

Fターム (24件)：

5F041AA03 , 5F041AA40 , 5F041AA41 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA67 , 5F041CA74 , 5F041CA76 , 5F041CA77 , 5F041CB15 , 5F041DA17 , 5F041DA26 , 5F041DB01 , 5F103AA04 , 5F103AA08 , 5F103DD01 , 5F103DD30 , 5F103HH03 , 5F103HH04 , 5F103LL01 , 5F103NN01

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-300996 出願人：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社
半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-371328 出願人：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-307151 出願人：松下電器産業株式会社

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審査官引用 (1件)

窒化物系半導体発光素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-136083 出願人：三星電機株式会社

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