特許

J-GLOBAL ID：201003011842615850

Si基板のレーザ加工方法

発明者： 桂 智毅 ,  吉田 育弘 ,  藤川 周一 ,  岡本 達樹
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (3件)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  竹内 三喜夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-164233
公開番号（公開出願番号）：特開2010-005629
出願日： 2008年06月24日
公開日（公表日）： 2010年01月14日
要約：

【課題】レーザ照射の際に保護膜が剥離しにくく、デブリの基板への付着を確実に防止し、高い歩留まりや信頼性を維持できるSi基板のレーザ加工方法を提供する。【解決手段】Si基板のレーザ加工方法は、単結晶Si基板1の表面に、ポリビニルアルコールやポリビニルピロリドンなどの親水性樹脂の水溶液をスピンコータで塗布して、厚み250nm以下の保護膜2を形成する工程と、保護膜2を介してSi基板1にパルスレーザ光3を照射して、穴開け加工を行う工程と、保護膜2を、純水などの溶媒に溶解して除去する工程とを含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

Si基板の表面に、親水性樹脂を用いて厚み250nm以下の保護膜を形成する工程と、 保護膜を介してSi基板にパルスレーザ光を照射して、穴開け加工を行う工程と、 保護膜を溶媒に溶解して、除去する工程と、を含むことを特徴とするSi基板のレーザ加工方法。

IPC (3件)：

B23K 26/38 ,  B23K 26/16 ,  B23K 26/00

FI (3件)：

B23K26/38 330 ,  B23K26/16 ,  B23K26/00 H

Fターム (6件)：

4E068AF00 ,  4E068CD10 ,  4E068CE03 ,  4E068CE04 ,  4E068CG05 ,  4E068DA10

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 混成集積回路の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-295354   出願人：日本電気株式会社
• レーザアブレーション加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-006106   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (4件)

• ウエーハのレーザー加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-259322   出願人：株式会社ディスコ
• ヒ化ガリウムウエーハのレーザー加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-282332   出願人：株式会社ディスコ
• レーザアブレーション加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-006106   出願人：富士通株式会社
• レーザー加工装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-122215   出願人：株式会社ディスコ