特許
J-GLOBAL ID：200903041100124037
ウエーハのレーザー加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小野 尚純
, 奥貫 佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-259322
公開番号（公開出願番号）：特開2008-078581
出願日： 2006年09月25日
公開日（公表日）： 2008年04月03日
要約：
【課題】ウエーハの表面および既に形成されたレーザー加工溝の壁面に直接デブリを付着させることなく分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成することができるウエーハのレーザー加工方法を提供する。【解決手段】ウエーハに形成された分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射してアブレーション加工を施し、ウエーハに分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成するウエーハのレーザー加工方法であって、水溶性シリコーンオイルを主体とする液状の保護材料をウエーハの加工面に被覆する保護材料被覆工程と、加工面に保護材料が被覆されたウエーハに保護材料が流動性を有する状態で保護材料側から分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程とを含む。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
ウエーハに形成された分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射してアブレーション加工を施し、ウエーハに分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成するウエーハのレーザー加工方法であって、
水溶性シリコーンオイルを主体とする液状の保護材料をウエーハの加工面に被覆する保護材料被覆工程と、
加工面に該保護材料が被覆されたウエーハに該保護材料が流動性を有する状態で該保護材料側から分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハのレーザー加工方法。
IPC (3件)：
H01L 21/301
, B23K 26/00
, B23K 26/16
H01L21/78 B
, H01L21/78 L
, B23K26/00 D
, B23K26/16
, B23K26/00 H
4E068AD01
, 4E068AF01
, 4E068CG05
, 4E068DA10
出願人引用 (15件)
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審査官引用 (13件)
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レーザー加工方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-361882
出願人：株式会社ディスコ
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ウエーハの加工方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-388104
出願人：株式会社ディスコ
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特開昭50-037347
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