特許
J-GLOBAL ID：201003013734107973
強化された電荷中和及びプロセス制御を具えたプラズマ処理
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
杉村 憲司
, 下地 健一
, 高梨 玲子
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-514950
公開番号（公開出願番号）：特表2010-532549
出願日： 2008年06月12日
公開日（公表日）： 2010年10月07日
要約：
プラズマ処理装置は、プラズマ処理のために基板を支持するプラテンを含む。RF電源が第1の電力レベルを有する第1の期間及び第2の電力レベルを有する第2の期間を有する複数レベルのRF電力波形を出力端子に発生する。前記RF電源の出力端子に電気的に接続された電気入力端子を有するRFプラズマ源が、前記第1の期間の間前記第1のRF電力レベルで第1のRFプラズマを発生し、前記第2の期間の間前記第2のRF電力レベルで第2のRFプラズマを発生する。前記プラテンに電気的に接続された出力端子を有するバイアス電圧源がプラズマ処理のためにプラズマ中のイオンを基板に引き付けるのに十分なバイアス電圧波形を発生する。
請求項（抜粋）：
(a)プラズマ処理のために基板を支持するプラテンと、
(b)第1の電力レベルを有する第1の期間及び第2の電力レベルを有する第2の期間を有する複数レベルのRF電力波形を出力端子に発生するRF電源と、
(c)前記RF電源の出力端子に電気的に接続された電気入力端子を有し、少なくとも、前記第1の期間の間前記第1のRF電力レベルで第1のRFプラズマを発生し、前記第2の期間の間前記第2のRF電力レベルで第2のRFプラズマを発生するRFプラズマ源と、
(d)前記プラテンに電気的に接続された出力端子を有し、プラズマ処理のために前記プラズマ中のイオンを基板に引き付けるのに十分なバイアス電圧波形を発生するバイアス電圧源と、
を備えるプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H05H 1/46
, H01L 21/306
, H01L 21/265
H05H1/46 L
, H01L21/302 101G
, H01L21/265 F
, H05H1/46 M
5F004AA01
, 5F004AA06
, 5F004BA09
, 5F004BA11
, 5F004BA14
, 5F004BB13
, 5F004BB29
, 5F004BD03
, 5F004BD04
, 5F004BD06
, 5F004CA03
, 5F004CA06
, 5F004CA08
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示
前のページに戻る
