特許

J-GLOBAL ID：201003014728107720

基板を精密加工するための方法およびその使用

発明者： マイヤー,クーノ ,  アレマン,モニカ ,  クレイ,ダニエル ,  グルンツ,シュテファン ,  メッテー,アンスガール ,  プロイ,ラルフ ,  グローエ,アンドレアス
出願人/特許権者： フラウンホーファー・ゲゼルシャフト・ツール・フェルデルング・デア・アンゲヴァンテン・フォルシュング・エー・ファウ ,  アルベルト-ルートヴィヒス-ウニヴェルズィテート フライブルク
代理人 (1件)： 特許業務法人みのり特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-552125
公開番号（公開出願番号）：特表2010-525554
出願日： 2008年03月06日
公開日（公表日）： 2010年07月22日
要約：

本発明は、基板を精密加工するための方法に関し、特に、薄層の微細構造の形成、局所的なドーパント導入および金属核形成層の局所的な形成のための方法であって、液体補助レーザー法を実行する、すなわち、適切な反応性液体によって加工される領域が覆われた基板にレーザー照射を行う方法に関する。

請求項（抜粋）：

基板を精密加工するための方法であって、 レーザービームを基板表面に向け、基板の加工される領域上に誘導し、 プロセス用試薬を含む液体によって、基板の加工される領域を少なくとも覆うようにすることを特徴とする方法。

IPC (4件)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/22 ,  H01L 31/04 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

H01L21/268 E ,  H01L21/22 E ,  H01L31/04 A ,  H01L21/306 E

Fターム (10件)：

5F043AA31 ,  5F043AA35 ,  5F043AA37 ,  5F043BB22 ,  5F043BB23 ,  5F043BB25 ,  5F043DD08 ,  5F051CB18 ,  5F051CB24 ,  5F051FA06

引用特許：

審査官引用 (9件)

• エッチングおよびドーピング複合物質
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-537127   出願人：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング
• 特開昭59-232260
  
• 半導体装置、およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-085322   出願人：富士電機株式会社
• 特開昭60-149782
  
• 埋めこみグリッド太陽電池の金属接点の堆積方法及び当該方法により得られる太陽電池
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-520312   出願人：アイピーユーインスティチューティトフォープロダクテゥドヴィクリング, エンソーネ-オーエムイー(ベネルクス)ベーヴェー, ビーピーソーラーリミテッド
• 特許第6429037号
  
• レーザードーピング処理方法及び薄膜トランジスタの作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-321619   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 熱電半導体の部分メッキ膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-031301   出願人：アイシン精機株式会社
• 基板を精密加工するための方法および装置ならびにその使用
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-551723   出願人：フラオンホファー-ゲゼルシャフト・ツア・フェルデルング・デア・アンゲヴァンテン・フォルシュング・エー・ファオ, アルベルト-ルートヴィヒ-ウニヴェルズィテート・フライブルク

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Laser-induced selective deposition of Ni-P alloy on silicon