ポジ型レジスト組成物、該組成物を用いたパターン形成方法及び該組成物に用いられる樹脂

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：高松猛 , 矢澤清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-145677
公開番号（公開出願番号）：特開2010-085971
出願日： 2009年06月18日
公開日（公表日）： 2010年04月15日
要約：

【課題】超微細領域での、特に、電子線、X線またはEUV光リソグラフィーにおける、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスを同時に満足するポジ型レジスト組成物、それを用いたパターン形成方法及びポジ型レジスト組成物に用いられる樹脂を提供することにある。【解決手段】イオン性構造部位を有し、活性光線または放射線の照射により分解して酸を発生する繰り返し単位(A)と、少なくとも1個のフェノール性水酸基を有し、その水酸基の水素原子の一部または全部が酸の作用により脱離する基で保護された基を有する繰り返し単位(B)、を有する樹脂(P)を含み、樹脂(P)が含有する繰り返し単位(A)のイオン性構造部位が、活性光線又は放射線の照射により樹脂の側鎖に酸アニオンを生じる構造であることを特徴とする、ポジ型レジスト組成物、それを用いたパターン形成方法、及び、該ポジ型レジスト組成物に用いられる樹脂。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

イオン性構造部位を有し、活性光線または放射線の照射により分解して酸を発生する繰り返し単位(A)と、少なくとも1個のフェノール性水酸基を有し、その水酸基の水素原子の一部または全部が酸の作用により脱離する基で保護された基を有する繰り返し単位(B)、を有する樹脂(P)を含み、樹脂(P)が含有する繰り返し単位(A)のイオン性構造部位が、活性光線又は放射線の照射により樹脂の側鎖に酸アニオンを生じる構造であることを特徴とする、ポジ型レジスト組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/039 , G03F 7/004 , C08F 212/14 , H01L 21/027

FI (5件)：

G03F7/039 601 , G03F7/004 501 , C08F212/14 , H01L21/30 502R , G03F7/004 503A

Fターム (54件)：

2H125AF17P , 2H125AF34P , 2H125AF38P , 2H125AH04 , 2H125AH05 , 2H125AH06 , 2H125AH12 , 2H125AH17 , 2H125AH22 , 2H125AH24 , 2H125AJ04X , 2H125AJ04Y , 2H125AJ14Y , 2H125AJ42X , 2H125AJ48X , 2H125AJ63Y , 2H125AJ64Y , 2H125AJ66Y , 2H125AJ70Y , 2H125AJ85Y , 2H125AJ92Y , 2H125AN38P , 2H125AN39P , 2H125AN54P , 2H125AN63P , 2H125AN67P , 2H125AN86P , 2H125BA01P , 2H125BA02P , 2H125BA26P , 2H125BA32P , 2H125BA33P , 2H125CA12 , 2H125CB12 , 2H125CB16 , 2H125CC03 , 2H125CC15 , 2H125CD08P , 2H125CD38 , 4J100AB07P , 4J100AB07Q , 4J100AB07R , 4J100AL08Q , 4J100AR36Q , 4J100BA02P , 4J100BA03R , 4J100BA16Q , 4J100BA56Q , 4J100BB07Q , 4J100BC04P , 4J100BC43P , 4J100CA05 , 4J100DA01 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (9件)

スルホン酸誘導体及び光酸発生剤
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-338282 出願人：東洋合成工業株式会社
ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-000566 出願人：信越化学工業株式会社
ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-324279 出願人：信越化学工業株式会社

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