特許

J-GLOBAL ID：200903071561045852

薄膜トランジスタの製法

発明者： 平尾 孝 ,  古田 守 ,  古田 寛 ,  松田 時宜
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-255734
公開番号（公開出願番号）：特開2007-073560
出願日： 2005年09月02日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：

【課題】 薄膜トランジスタの構成半導体薄膜(活性層)である酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする酸化物半導体薄膜と、該酸化物半導体薄膜に接するゲート絶縁膜とを真空中で連続成膜することによって、これら二層の間に清浄な界面を形成し、良好なTFT特性を示す高性能な薄膜トランジスタを提供することができるとともに、量産化が容易である薄膜トランジスタの製法の提供。【解決手段】 酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする酸化物からなる半導体薄膜と、シリコン系絶縁膜からなり該半導体薄膜に接するゲート絶縁膜を有する薄膜トランジスタの製法において、前記半導体薄膜の形成と前記ゲート絶縁膜の形成が、真空中にて連続した工程で行われることを特徴とする薄膜トランジスタの製法。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする酸化物からなる半導体薄膜と、シリコン系絶縁膜からなり該半導体薄膜に接するゲート絶縁膜を有する薄膜トランジスタの製法において、前記半導体薄膜の形成と前記ゲート絶縁膜の形成が、真空中にて連続した工程で行われることを特徴とする薄膜トランジスタの製法。

IPC (2件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (2件)：

H01L29/78 627B ,  H01L29/78 618B

Fターム (38件)：

5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG24 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ09

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置およびその製造方法ならびに電子デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-079273   出願人：シャープ株式会社, 大野英男, 川崎雅司
• トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-146907   出願人：シャープ株式会社, 川崎雅司, 大野英男
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-096983   出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (3件)

• 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-068270   出願人：新技術事業団
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-081476   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-059905   出願人：シャープ株式会社, 川崎雅司, 大野英男